Radiation Chemistry of Triphenylsulfonium Salts in EB and X-Ray Chemically Amplified Resists-Proton Generation Mechanisms.

Nagahara, Seiji; Kozawa, Takahiro; Yamamoto, Yukio; Tagawa, Seiichi

doi:10.2494/photopolymer.11.577

Cited by 9 publications

(2 citation statements)

References 12 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…It has been suggested that the diphenylsulfide radical cation is generated though direct electronic excitation upon exposure to an electron pulse. 22) However, the contribution of direct electronic excitation is minor because the concentration was set low in this study. Also, the concentration of the intermediate species observed at the wavelength of 750 nm increased slowly after the irradiation of the electron pulse.…”

mentioning

confidence: 92%

Electron and Hole Transfer in Anion-Bound Chemically Amplified Resists Used in Extreme Ultraviolet Lithography

Komuro

Yamamoto

Utsumi

et al. 2013

Appl. Phys. Express

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

The uniformity of acid generator distribution and the length of acid diffusion are serious problems in the development of resist materials used for the 16 nm node and below. Anion-bound polymers in which the anion part of onium salts is polymerized have attracted much attention for solving these problems. In this study, the reaction mechanism of an anion-bound polymer in cyclohexanone was clarified using pulse radiolysis. The design of an efficient electron and hole transfer system is essential to the enhancement of resist performance.

show abstract

mentioning

confidence: 92%

Electron and Hole Transfer in Anion-Bound Chemically Amplified Resists Used in Extreme Ultraviolet Lithography

Komuro

Yamamoto

Utsumi

et al. 2013

Appl. Phys. Express

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…31 Συνήθως επιζητείται ευαισθησία υλικού μικρότερη από 50 mJ/cm 2 . 32 Το κόστος και ο όγκος της πηγής , οι δυσκολίες στην κατασκευή της μάσκας , αλλά και η συνεχής πρόοδος των συστημάτων οπτικής λιθογραφίας , αποτελούν μέχρι σήμερα ανυπέρβλητο εμπόδιο για την εισαγωγή της λιθογραφίας ακτίνων Χ στην παραγωγή.…”

Section: σχήμα 115 σχηματικό διάγραμμα συστήματος έκθεσης ακτίνων χ με γειτνίασηunclassified

Ανάπτυξη Πρότυπων Σιλοξανικών Και Σιλεναμισοξανικών Πολυμερικών Υλικών Για Λιθογραφία Υψηλής Διακριτικής Ικανότητας

Μπέλλας¹

View full text Add to dashboard Cite

Στην εργασία αυτή, εξετάζεται η λιθογραφική συμπεριφορά πρότυπων υλικών μηχανισμού χημικής ενίσχυσης , βασισμένων σε σιλοξανικά και σιλεναμισοξανικά πολυμερή. Ιδιαίτερη έμφαση δίδεται στη συμπεριφορά των υλικών στα 157 nm, εξαιτίας της επικείμενης εισαγωγής αντίστοιχων συστημάτων έκθεσης σε βιομηχανική κλίμακα. Αρχικά συντέθηκαν και μελετήθηκαν κατά συστάδες συμπολυμερή πολυ(διμεθυλοσιλοξάνη-b-μεθακρυλικός τριτοταγής βουτυλεστέρας) (PDMS-b-PTBMA) διαφορετικής σύστασης (30, 50, 70 και 90% κ.β. σε PDMS). Η ύπαρξη δύο σημείων υαλώδους μετάπτωσης δηλώνει την παρουσία μικροφασικού διαχωρισμού και επηρεάζει αρνητικά τη λιθογραφική απόδοση των υλικών αυτών. Στα 248 nm επικρατεί απεικόνιση θετικού-τόνου κατόπιν εμφάνισης σε υδατικό διάλυμα βάσης, ενώ τόσο στα 157 nm όσο και στη δέσμη ηλεκτρονίων κυριαρχεί η αρνητικού-τόνου χημεία. Στα πειράματα έκθεσης με δέσμη ηλεκτρονίων είναι εφικτή υδατική εμφάνιση για αρνητικού-τόνου απεικόνιση, εφόσον ακολουθήσει ακτινοβόληση του δείγματος στα 248 nm. Τα διμεθυλοσιλοξανικά τμήματα παρότι υδρόφοβα, είναι διαπερατά από τα μόρια του εμφανιστή, με αποτέλεσμα να περιορίζεται η διακριτική ικανότητα . Καλύτερα αποτελέσματα λαμβάνονται με οργανική εμφάνιση, οπότε και περιορίζεται η διόγκωση των δομών. Οι δομές που προκύπτουν δεν διαθέτουν κατακόρυφα προφίλ και η διακριτική ικανότητα είναι χαμηλή. Συνεπώς ως υλικά αρνητικού-τόνου με οργανική εμφάνιση τα συμπολυμερή PDMS-b-PTBMA υστερούν έναντι του καθαρού PDMS. Επιπλέον, συντέθηκαν και αξιολογήθηκαν λιθογραφικά εμβολιασμένα συμπολυμερή PΤΒΜΑ-g-PDMS με σιλοξανικούς κλάδους μικρού μοριακού βάρους, προκειμένου να περιοριστούν φαινόμενα εμπλουτισμού της ελεύθερης επιφάνειας. Λόγω της απουσίας μικροφασικού διαχωρισμού η αντίθεση συγκριτικά με τα κατά συστάδες συμπολυμερή είναι χαμηλότερη. Η ποιότητα των υμενίων δεν βελτιώθηκε σημαντικά, όπως επίσης δεν επιτεύχθηκαν ελεγχόμενες συνθήκες υδατικής εμφάνισης. Παράλληλα, στα 157 nm και στη δέσμη ηλεκτρονίων η απεικόνιση αρνητικού-τόνου εξακολουθεί να κυριαρχεί. Προς αντιμετώπιση των παραπάνω προβλημάτων παρασκευάσθηκαν μεθακρυλικά συμπολυμερή τα οποία διέθεταν πλευρικές ομάδες πολυεδρικών ολιγομερικών σιλεναμισοξανών (POSS). Η επιλογή των αλκυλικών υποκαταστατών του σιλαναμισοξανικού κλωβού είναι κρίσιμη. Οι αιθυλικοί υποκαταστάτες πλεονεκτούν έναντι των κυκλοπεντυλικών, αφού το αντίστοιχο μεθακρυλικό ομοπολυμερές διαθέτει μικρότερη απορρόφηση στα 157 nm, είναι λιγότερο υδρόφοβο και η επιφάνειά του μετά την εγχάραξη με πλάσμα οξυγόνου χαρακτηρίζεται από μικρότερη τραχύτητα. Τα συμπολυμερή που επέδειξαν την καλύτερη λιθογραφική συμπεριφορά εκτός από τους σιλεναμισοξανικούς κλωβούς περιέχουν μεθακρυλικό τριτοταγή βουτυλεστέρα (ΤΒΜΑ), μεθακρυλικό οξύ (ΜΑ) και ιτακονικό ανυδρίτη (ΙΑ). Το ΤΒΜΑ είναι το συστατικό που αποπροστατεύεται παρουσία του φωτοχημικά παραγόμενου οξέος , ενώ τα ΜΑ και ΙΑ είναι συστατικά που προάγουν τη διάλυση του υλικού κατά την υδατική εμφάνιση. Επιπλέον το ΜΑ βελτιώνει την πρόσφυση των υλικών με το υπόστρωμα. Η παρουσία των ομάδων POSS προσδίδει στα συμπολυμερή αντίσταση κατά την κατεργασία με πλάσμα οξυγόνου και αυξάνει την διαπερατοτητά τους στα 157 nm. Περιεκτικότητα 25-30% κ.β. σε POSS εξασφαλίζει επαρκή αντίσταση στο πλάσμα οξυγόνου, καθιστώντας τα υλικά κατάλληλα για διστρωματική λιθογραφία. Με φασματοσκοπία φωτοηλεκτρονίου ακτίνων-Χ βρέθηκε ότι όλα τα δείγματα παρουσιάζουν εμπλουτισμό της ελεύθερης διεπιφάνειας σε σιλεναμισοξανικούς κλωβούς, με αποτέλεσμα ο ρυθμός εγχάραξης να είναι ελαφρώς μικρότερος του αναμενομένου. .................

show abstract

Direct observation of intra-molecular energy migration in σ-conjugated polymer by femto-second laser flash photolysis

Matsui

Seki

Tagawa

2002

Chemical Physics Letters

View full text Add to dashboard Cite

Radiation Chemistry of Triphenylsulfonium Salts in EB and X-Ray Chemically Amplified Resists-Proton Generation Mechanisms.

Cited by 9 publications

References 12 publications

Electron and Hole Transfer in Anion-Bound Chemically Amplified Resists Used in Extreme Ultraviolet Lithography

Electron and Hole Transfer in Anion-Bound Chemically Amplified Resists Used in Extreme Ultraviolet Lithography

Ανάπτυξη Πρότυπων Σιλοξανικών Και Σιλεναμισοξανικών Πολυμερικών Υλικών Για Λιθογραφία Υψηλής Διακριτικής Ικανότητας

Direct observation of intra-molecular energy migration in σ-conjugated polymer by femto-second laser flash photolysis

Contact Info

Product

Resources

About