Quantum Dots of Gallium and Indium Arsenide Phosphides: Opto-electronic Properties, Spin Polarization and a Composition Effect of Quantum Confinement

Pozhar, Liudmila A.

doi:10.1016/b978-0-12-396984-2.00004-2

Cited by 1 publication

(1 citation statement)

References 70 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Фосфид галлия, как и другие полупроводники А III В V , востребован и перспективен для создания высокотемпературных устройств и фотодиодов, чувствительных в УФ области спектра [1,2], фотоприемников [3] и светоизлучающих приборов на основе квантовых точек [4].…”

Section: Introductionunclassified

СОБСТВЕННОЕ ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКСИДИРОВАНИЕ GaP КАК ОСНОВА ВЫБОРА ФУНКЦИЙ ХЕМОСТИМУЛЯТОРОВ

Сладкопевцев¹,

Mittova²,

Томина³

et al. 2017

kcmf

View full text Add to dashboard Cite

Установлено, что термооксидирование GaP кислородом при 650-750 ºС приводит к формированию наноразмерных, толщиной не более 100 нм (СЭ, РЭМ), плёнок состава GaPO4 и Ga(PO3)3 с небольшим содержанием Ga2O3 (РФА, ИКС). На их неоднородной поверхности присутствуют поры (АСМ, РЭМ), связанные с испарением P2O5. GaP отличается от InP и GaAs формированием регулярных плёнок собственного оксида при более высоких температурах (от 650 °С), отсутствием в них неокисленных компонентов подложки (ОЭС) и диэлектрическими свойствами. Для снижения температуры, увеличения скорости роста, достижения требуемой морфологии поверхности и варьируемых в широких пределах оптических и электрофизических свойств предложено хемостимулированное термооксидирование GaP. Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ (№ 16-43-360595р_а). Исследования проведены с использованием оборудования Центра коллективного пользования научным оборудованием Воронежского госуниверситета.

show abstract

Section: Introductionunclassified