Pulsed Electron Beam Annealing of GaAs after High Dose Implantation of Hydrogen

Hauser, T.; Bredell, L.J.; Gaigher, H.L.; Alberts, H. L.; Botha, André; Hayes, M.; Friedland, E.

doi:10.4028/www.scientific.net/msf.248-249.253

Cited by 2 publications

(1 citation statement)

References 0 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Для исходного и имплантированного образцов она составляла 0.6 нм, а для имплантированного и подвергнутого ВЧ-обработ-ке -0.9 нм. В отличие от результатов [16], где было показано, что электронно-лучевая обработка исходных и имплантированных ионами водорода образцов неле-гированного GaAs вызывала образование особенностей рельефа размером 10 мкм и больше, использованные нами обработки никак не могут повлиять на изменение отражения GaAs в ИК-области спектра.…”

Section: рисunclassified

Влияние Имплантации H-=sup=-+-=/Sup=- На Оптические Свойства Кристаллов Полуизолирующего Арсенида Галлия В Ик-Области Спектра

Клюй¹,

Лозинский²,

Липтуга³

et al. 2017

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

Исследованы оптические свойства кристаллов полуизолирующего арсенида галлия (АГЧП), подвергнутого мультиэнергетической имплантации ионов водорода и обработке в высокочастотном электромагнитном поле, в инфракрасной области спектра. Установлено, что такая комбинированная обработка позволяет существенно повысить пропускание кристалла АГЧП до величин, характерных для кристаллов хорошего оптического качества. На основе анализа результатов исследования пропускания и отражения АГЧП в инфракрасной области спектра, спектров комбинационного рассеяния света, морфологии поверхности методом атомно-силовой микроскопии предложена физическая модель, объясняющая наблюдаемые эффекты. Модель учитывает взаимодействие радиационных дефектов с исходными дефектами структуры АГЧП, а также эффект компенсации дефектных центров водородом в процессе высокочастотной обработки.

show abstract

Section: рисunclassified