PSpice-Modellierung eines CMOS-kompatiblen mechanischen Spannungssensors, basierend auf der Anisotropie des piezoresistiven Effekts (PSpice-Model for a CMOS-Compatible Stress Sensor Based on the Anisotropy of the Piezoresistive Effect)

Abstract

Die Modellierung eines mechanischen Spannungssensors, welcher auf der Anisotropie des piezoresistiven Effekts beruht, wird vorgestellt. Der Sensor wird als Vierpol modelliert, dessen elektrische Eigenschaften unter anderem von mechanischer Spannung, Temperatur und Magnetfeld abhängen. Das Modell kann als Makromodell in PSpice eingebunden werden und so die Entwicklung von Schaltungen zur Signalverarbeitung unterstützen. Die Modellparameter werden durch Messungen verifiziert. Um die Vorteile des Modells zu demonstrieren wird eine Temperaturkompensationsschaltung simuliert und mit Messergebnissen verglichen.