PROPRIÉTÉS DES JONCTIONS p/n DANS LE SILICIUM OBTENUES PAR IMPLANTATION IONIQUE ET RECUIT RAPIDE

Abstract

RESUPQ : Quatre techniques de recuit rapide par faisceau d16nergie ont St6 6valu6es de fason comparative du point de vue de leur application h la recristallisation de couches implantdes dans le silicium monocristallin :le recuit par faisceau laser YAG pulsd (0,53 pm -100 ms).le recuit par faisceau laser continu (0,48 h 0 , 5 2 pm -1 ms).le recuit isotherme rapide par rayonnement infrarouge (1100°C -10 s).le recuit par lampe (1100°C -1 0 s).