Properties of Mechanically Dispersed Nano-Sized Single Crystals of III-V Semiconductors

Sinev, Ilya; Timoshenko, D. A.; Zhukov, N. D.; Sevost'yanov, V. P.

doi:10.17587/nmst.20.475-480

Cited by 4 publications

(4 citation statements)

References 0 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Квантово-размерные частицы арсенида галлия и антимонида индия изготавливались по технологической схеме дробления монокристалла на шаровой мельнице [12], седиментационного разделения порошка и последующего химического травления его субмикрометровой фракции. Травление осуществлялось составом H 2 O : NH 3 : H 2 O 2 ≈ 5 : 1 : 1.5 (в объемных частях).…”

Section: синтезunclassified

Синтез, фото- и катодолюминесцентные свойства коллоидных квантовых точек CdSe, CdTe, PbS, InSb, GaAs

Zhukov¹,

Крыльский²,

Shishkin³

et al. 2019

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

Quantum dots of the group of wide-gap and narrow-gap semiconductors are synthesized and investigated under identical conditions, which makes it possible to perform the comparative analysis and modeling of the mechanisms of radiative recombination and luminescence, for which a stable exciton bond between the electron and hole has an important role. Exciton states are unstable for quantum dots without a shell and narrow-gap semiconductors, which leads to a substantial decrease in the probability of radiative recombination and, correspondingly, the quantum yield of luminescence. The experimental values of the spectral position of the luminescence maximum for quantum dots with clear manifestation of the exciton recombination mechanism noticeably shift to the long-wavelength region with respect to the calculated ones. In calculations and analysis, we use the effective electron mass for bulk semiconductors. The observed good correspondence of the calculated values of the maximum and spectral band with the experiment can mean that quantum dots have a long-range order crystalline structure similar to that one observed in single crystals and polycrystals.

show abstract

Section: синтезunclassified

Синтез, фото- и катодолюминесцентные свойства коллоидных квантовых точек CdSe, CdTe, PbS, InSb, GaAs

Zhukov¹,

Крыльский²,

Shishkin³

et al. 2019

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Используемые в работе субмикронные частицы изготавливались из монокристаллических полупроводников электронного типа проводимости путем их измельчения в шаровой мельнице с последующей седиментацией для получения субмикронных размеров [6]. Частицы наносились на подложки из суспензии методом самоорганизации на поверхности при контролируемом испарении растворителя [7].…”

Section: поступило в редакцию 21 сентября 2018 гunclassified

“…В [5] исследован и обоснован оптимальный вариант автокатода. В продолжение этих публикаций в настоящей работе представлены результаты исследований вторичной эмиссии на субмикронных мультизеренных структурах наиболее применяемых полупроводников: Si, GaAs, InSb, InAs.Используемые в работе субмикронные частицы изготавливались из монокристаллических полупроводников электронного типа проводимости путем их измельчения в шаровой мельнице с последующей седиментацией для получения субмикронных размеров [6]. Частицы наносились на подложки из суспензии методом самоорганизации на поверхности при контролируемом испарении растворителя [7].…”

unclassified

Электронно-Эмиссионные Свойства Полупроводниковых Субмикронных Частиц

Гавриков¹,

Жуков²,

Мосияш³

et al. 2019

Письма В Журнал Технической Физики

View full text Add to dashboard Cite

Поступило в Редакцию 21 сентября 2018 г.Исследованы свойства электронной эмиссии в субмикронных частицах полупроводников Si, GaAs, InSb, InAs и их мультизеренных структурах. Установлено влияние свойств наночастиц на авто-и вторичную эмиссию. Предложен метод измерения коэффициента вторичной эмиссии полупроводников на основе метода сканирующей электронной микроскопии. Методом вакуумного триода исследовано влияние фотовозбуждения мультизеренной структуры полупроводниковых субмикронных частиц на их вторично-эмиссионные свойства.Электронно-эмиссионные свойства полупроводниковых субмикронных частиц и наноструктур (авто-, фото-, вторичная эмиссия) лежат в основе действия ряда приборов: приборов вакуумной микроэлектроники, визуализаторов невидимых излучений, источников электромагнитных излучений в широком спектре (от рентгеновского до СВЧ). Актуальными при этом являются выбор материалов и оптимизация структур их использования.Детальное исследование полевой эмиссии -эффективный инструмент для определения механизмов и параметров электронных процессов в объеме полупроводника и на поверхности с конкретной формой эмитирующих элементов. Особый интерес при этом представляют исследования методами сканирующей туннельной микроскопии (СТМ), которые позволяют провести детальный анализ физических процессов [1,2]. В работах [3,4] методом ВАХ-СТМ (ВАХ -вольт-амперная характеристика) нами были найдены параметры приповерхностных электронных состояний и установлено, что автоэмиссия в наночастицах узкозонных полупроводников является низкополевой: как минимум на порядок ниже, чем для металлов и углеродных наноструктур. В [5] исследован и обоснован оптимальный вариант автокатода. В продолжение этих публикаций в настоящей работе представлены результаты исследований вторичной эмиссии на субмикронных мультизеренных структурах наиболее применяемых полупроводников: Si, GaAs, InSb, InAs.Используемые в работе субмикронные частицы изготавливались из монокристаллических полупроводников электронного типа проводимости путем их измельчения в шаровой мельнице с последующей седиментацией для получения субмикронных размеров [6]. Частицы наносились на подложки из суспензии методом самоорганизации на поверхности при контролируемом испарении растворителя [7]. Толщина слоя покрытия составляла ∼ 2 µm. Средние размеры исходных частиц 0.2−0.4 µm. На рис. 1 представлено изображение поверхности исследуемых образцов, полученное методом СТМ.Исследование морфологии поверхности и вольт-амперных характеристик методом СТМ осуществлялось с помощью сканирующего зондового микроскопа Nanoeducator-2-NT-MDT. Перед исследованием туннельной ВАХ отдельных частиц проводилось сканирование поверхности слоя в режиме стабилизированного тока. После анализа полученного СТМ-образа поверхности образца выбиралось не менее 10 точек для снятия ВАХ. В автоматическом режиме измерялись не менее десяти ВАХ на точку. Измерения ВАХ проводились в пределах величин тока от 10 −11 до 10 −8 А и напряжения от 0 до 5 V. По воспроизводимости результатов измерений отбирались точки с устойчивыми характерист...

show abstract

“…The investigated submicron particles were synthesized from single-crystal semiconductors with electron conductivity by grinding in a ball mill and subsequent sedimentation to submicron sizes [6]. The particles were deposited onto the substrate from suspension by self-organization on the surface upon controlled solvent evaporation [7].…”

mentioning

confidence: 99%

Electron Emission Properties of Submicron Semiconductor Particles

Gavrikov

Zhukov

Mosiyash³

et al. 2018

Tech. Phys. Lett.

View full text Add to dashboard Cite

The electron emission properties of submicron Si, GaAs, InSb, and InAs semiconductor particles and their multigrain structures have been investigated. The effect of the properties of nanoparticles on the field and secondary emissions has been established. A scanning electron microscopy-based method for measuring the secondary emission coefficient of semiconductors has been proposed. The effect of photoexcitation of the multigrain structure of submicron semiconductor particles on their secondary emission properties has been investigated by the vacuum triode method.

show abstract

Properties of Mechanically Dispersed Nano-Sized Single Crystals of III-V Semiconductors

Cited by 4 publications

References 0 publications

Синтез, фото- и катодолюминесцентные свойства коллоидных квантовых точек CdSe, CdTe, PbS, InSb, GaAs

Синтез, фото- и катодолюминесцентные свойства коллоидных квантовых точек CdSe, CdTe, PbS, InSb, GaAs

Электронно-Эмиссионные Свойства Полупроводниковых Субмикронных Частиц

Electron Emission Properties of Submicron Semiconductor Particles

Contact Info

Product

Resources

About