2007
DOI: 10.1134/s1063782607110188
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Properties of GaInAsSb/GaSb (λ = 1.8–2.3 μm) immersion lens photodiodes at 20–140°C

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
3
1
1

Citation Types

0
3
0
2

Year Published

2008
2008
2022
2022

Publication Types

Select...
6
1

Relationship

0
7

Authors

Journals

citations
Cited by 16 publications
(5 citation statements)
references
References 8 publications
0
3
0
2
Order By: Relevance
“…Исследования многокомпонентных гетероструктур соединений A 3 B 5 показали, что качество поверхности и структурное совершенство зависит от условий выращивания [32]. Различие a и α в слое и подложке приводит к механическим напряжениям, возникающим в кристаллизуемом материале непосредственно в процессе роста, либо во время последующего охлаждения до комнатной температуры [15][16][17][18][19][20][21][22][23][24][25][26][27][28][29][30][31][32][33][34].…”
Section: результаты и их обсуждениеunclassified
See 1 more Smart Citation
“…Исследования многокомпонентных гетероструктур соединений A 3 B 5 показали, что качество поверхности и структурное совершенство зависит от условий выращивания [32]. Различие a и α в слое и подложке приводит к механическим напряжениям, возникающим в кристаллизуемом материале непосредственно в процессе роста, либо во время последующего охлаждения до комнатной температуры [15][16][17][18][19][20][21][22][23][24][25][26][27][28][29][30][31][32][33][34].…”
Section: результаты и их обсуждениеunclassified
“…Увеличение компонентов в многокомпонентных твердых растворах (МРТ) и легировании изовалентными примесями (Bi) открывает широкие возможности в варьировании фотоэлектрических свойств элементной базы приборов [22][23][24][25][26][27]. Кроме того, висмутосодержащие многокомпонентные гетероструктуры на основе антимонида галлия интересны также для создания фотоприемных устройств, работающих в спектральном диапазоне 0.4−4.0 µm [28][29][30].…”
Section: Introductionunclassified
“…Sharp sensitivity drop at the longwave side at hv<E g , originates from the active area absorption edge while the shortwave slope coincides usually with the substrate/intermediate layers/lens optical transmission. As a result spectral response of the existing (published) GaInAsSb/GaSb, InAsSb/InAs, InAsSbP/InAs flip-chip photodiodes is rather narrow [3][4][5] and can be represented by a sum of two Gauss curves (G1, G2):…”
Section: Sensor Instrument Functionmentioning
confidence: 99%
“…When ensuring industrial safety of production and storage facilities of liquified natural gas (LNG), it is required to evaluate consequences of their man-made pulse emissions as jets and ground spillage with liquid-carbohydrate regasification formation of fire hazardous clouds of air fuel mixtures (AFM) with volume concentration inflammation limits (CIL) within the range from 5 to 15 vol.% [1][2][3]. It is quite difficult to analyze them as it is required to measure fluctuating values of the concentration C at the temperature of T ≥ 150 K with transmission of the digital data to the remote server, while the devices for scanning the AFM clouds must have a speed τ < 0.1 s, function at the velocity of gas-drop fluxes up to hundreds meters per second and be resistive to the gas pressure pulses of up to 10 5 Pa [2][3][4][5][6][7][8][9][10][11][12][13][14].…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%
“…It is not critical as the most of IR radiation is collected at a photodetector. However, with the narrow directivity diagrams for lightemitting diode's radiation and its photodiode reception, which are typical for the immersion diode optocouplers, their position is fixed by means of a flexible mechanical connection with the gas cuvette body by adjusting elements, as the diagram of source radiation propagation is not necessarily coincident with the sensitivity maximum of the photodetector radiation reception diagram [12][13][14].…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%