Properties of buried insulating layers in silicon formed by high dose implantation at 60 keV

Skorupa, W.; Wollschläger, K.; Grötzschel, R.; Schöneich, J.; Hentschel, E.; Kötte, R.; Stary, F.; Bartsch, H.; Götz, G.

doi:10.1016/0168-583x(88)90253-4

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“…Co-implantation of oxygen and nitrogen and post annealing [2][3][4] is a long-established technology. It has some intrinsic disadvantages such as one hardly gets a uniform buried layer or even top interface.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Formation of total-dose-radiation hardened materials by sequential oxygen and nitrogen implantation and multi-step annealing

Zhang

Chen

et al. 2004

Semicond. Sci. Technol.

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Separation by implantation of oxygen and nitrogen (SIMON) silicon-on-insulator (SOI) materials were fabricated by sequential oxygen and nitrogen implantation with annealing after each implantation. Analyses of SIMS, XTEM and HRTEM were performed. The results show that superior buried insulating multi-layers were well formed and the possible mechanism is discussed. The remarkable total-dose irradiation tolerance of SIMON materials was confirmed by few shifts of drain leakage current-gate source voltage (I-V ) curves of PMOS transistors fabricated on SIMON materials before and after irradiation.

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Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Formation of total-dose-radiation hardened materials by sequential oxygen and nitrogen implantation and multi-step annealing

Zhang

Chen

et al. 2004

Semicond. Sci. Technol.

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“…A tensão de limiar de um transistor MOS convencional modo inversão é classicamente dada pela equação (4) 15 : (4) onde Q ox é a densidade de carga fixa na interface Si-SiO 2 , q é a carga elementar do elétron, C ox é a capacitância do óxido de porta e N a é a concentração de dopantes da camada de Si.…”

Section: Tensão De Limiarunclassified

Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI Mosfet fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica.

Camillo¹

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Este exemplar foi revisado e alterado em relação à versão original, sob responsabilidade única do autor e com a anuência de seu orientador. São Paulo, de março de 2011. Assinatura do autor ____________________________ Assinatura do orientador _______________________ FICHA CATALOGRÁFICA Camillo, Luciano Mendes Estudo do ponto invariante com a temperatura (""Zero Temperature Coefficient"") em transistores SOIU Mosfet fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica / L.M. Camillo. --ed.rev. --São Paulo, 2011. 142 p.Tese (Doutorado) -DEDICATÓRIA Dedico este trabalho a minha esposa Clara, que sempre me apoiou em todos os momentos bons e ruins, me incentivando e dando suporte para a realização deste trabalho. Aos meus pais Isaias e Regina, que me propiciaram ensinamentos e me mostraram os valores da vida honestidade, integridade e caráter Amo vocês! AGRADECIMENTOS Ao orientador Prof. Dr. João Antonio Martino, pelo apoio, confiança, amizade, atenção, paciência, e pela oportunidade da realização deste trabalho. A minha esposa Clara, meus pais e a meu irmão Adriano pelo apoio, carinho, incentivo e compreensão nos momentos difíceis e de ausência, vocês são tudo na minha vida. A amiga, Carolina D. G. dos Santos pela ajuda, incentivo, confiança, companheirismo. Aos amigos Milene Galeti, Michele Rodrigues e Vinícius Heltai pelo incentivo, discussões, e apoio durante esta jornada. Ao professores e amigos Dr. Salvador P. Gimenes, Dr. Aparecido S. Nicolett e Dr. Marcelo A. Pavanello pelo incentivo desse e outros trabalhos. Aos colegas grupo SOI-CMOS pelo incentivo, discussões, e apoio durante este trabalho. Ao Laboratório de Sistemas Integráveis da EPUSP pela infra-estrutura oferecida e que permitiu a realização deste trabalho. À meus familiares que me apoiaram e torceram por mim. Aos colegas do LSI pelo apoio e discussões, e a todos que direta ou indiretamente colaboraram na execução desse trabalho e que involuntariamente foram aqui omitidos. RESUMO Neste trabalho é apresentado um estudo do ponto ZTC ("Zero Temperature Coefficient") em dispositivos SOI MOSFETs, funcionando em modo parcialmente (PD-SOI) e totalmente (FD-SOI) depletados. O estudo é realizado a partir de um modelo analítico simples, proposto para determinação da tensão de polarização da porta do transistor no ponto ZTC (V ZTC ), através dos modelos de primeira ordem das características da corrente de dreno (I DS ) em função da tensão aplicada a porta (V GF ) do transistor, considerando as regiões de operação linear e de saturação. Para a validação do modelo, os resultados obtidos são confrontados com dados experimentais, e foi obtido um bom ajuste dos valores, apesar das simplificações adotadas para o modelo proposto. Foi realizada uma análise para estudar o impacto no valor de V ZTC com a variação no valor de parâmetros de referência, como a concentração de portadores (N af ) e a espessura do óxido de porta (t oxf ). O erro máximo observado em V ZTC , impondo a variação nos parâmetros N af e t oxf , para os dispositivos PD é de 3,1% e 4,6% na região linear, respe...

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Recent Advances of Ion Beam Synthesis for Silicon-on-Insulator Structures

Skorupa¹,

Grötzschel²,

Bartsch

1989

Phys. Stat. Sol. (a)

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A short review on recent advances of ion beam synthesis of buried insulating layers in silicon for the purpose of forming silicon‐on‐insulator (SOI) structures is presented. Aspects of materials research and device processing are discussed. These include low dislocation Soi, silicon oxynitride formation, gettering in Soi‐structures with epitaxial layers, minimization of unwanted doping and the beneficial effect of thin silicon layers (d ≦ 100 nm) on the properties of semiconductor devices with submicron dimensions.

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Properties of buried insulating layers in silicon formed by high dose implantation at 60 keV

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Formation of total-dose-radiation hardened materials by sequential oxygen and nitrogen implantation and multi-step annealing

Formation of total-dose-radiation hardened materials by sequential oxygen and nitrogen implantation and multi-step annealing

Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI Mosfet fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica.

Recent Advances of Ion Beam Synthesis for Silicon-on-Insulator Structures

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