2002
DOI: 10.1016/s0167-9317(02)00471-9
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Progress in 157-nm lithography development for 70-nm node

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
1

Citation Types

0
0
0
1

Year Published

2003
2003
2017
2017

Publication Types

Select...
4
1
1

Relationship

0
6

Authors

Journals

citations
Cited by 7 publications
(1 citation statement)
references
References 8 publications
0
0
0
1
Order By: Relevance
“…102 Επομένως , τα εξαρτήματα που απαρτίζουν το σύστημα έκθεσης (σχήμα 1.43) καθώς και τα υλικά κατασκευής της μάσκας πρέπει να επιλεχθούν με βάση τις προδιαγραφές που απαιτούνται σε αυτό το μήκος κύματος. 103,104 Τα οπτικά υλικά που εμφανίζουν υψηλή διαπερατότητα είναι το LiF, το MgF 2 και το CaF 2 . Το πρώτο μειονεκτεί, διότι χαρακτηρίζεται από αυξημένη υγροσκοπικότητα και χαμηλή σκληρότητα (γεγονός που καθιστά πιθανή τη δημιουργία αμυχών κατά την διαδικασία καθαρισμού των οπτικών εξαρτημάτων).…”
Section: λιθογραφία στα 157 Nm (υπεριώδες κενού)unclassified
“…102 Επομένως , τα εξαρτήματα που απαρτίζουν το σύστημα έκθεσης (σχήμα 1.43) καθώς και τα υλικά κατασκευής της μάσκας πρέπει να επιλεχθούν με βάση τις προδιαγραφές που απαιτούνται σε αυτό το μήκος κύματος. 103,104 Τα οπτικά υλικά που εμφανίζουν υψηλή διαπερατότητα είναι το LiF, το MgF 2 και το CaF 2 . Το πρώτο μειονεκτεί, διότι χαρακτηρίζεται από αυξημένη υγροσκοπικότητα και χαμηλή σκληρότητα (γεγονός που καθιστά πιθανή τη δημιουργία αμυχών κατά την διαδικασία καθαρισμού των οπτικών εξαρτημάτων).…”
Section: λιθογραφία στα 157 Nm (υπεριώδες κενού)unclassified