Profiles of recombination and transport parameters in thin sos films

Cristoloveanu, S.; Chovet, A.; Kamarinos, G.

doi:10.1051/rphysap:019780013012061500

Cited by 2 publications

(1 citation statement)

References 13 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…(« Silicon On Sapphire »). Cette technologie, à cause même de ses défauts notamment à l'interface Si-A'20., [ 17] est a priori un bon matériau pour la réalisation de MD : l'épaisseur standard des couches de Si épitaxié (b = 0,65 ym) est légèrement inférieure à la longueur de diffusion des porteurs et les deux interfaces (Si-Si02 et Si-A'20,) présentent macroscopiquement des taux de recombinaison très différents ce qui, d'après la figure 3, doit conduire à une sensibilité optimale.…”

Section: Réalisations Expérimentalesunclassified

Bases physiques et performances des nouveaux (micro)capteurs magnétiques à semiconducteur

Chovet¹,

Cristoloveanu²

1984

Rev. Phys. Appl. (Paris)

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

2014 Nous présentons ici une synthèse sur les capteurs magnétiques à semiconducteur développés dans notre laboratoire et utilisant l'effet de concentration des porteurs par un champ magnétique. Après avoir rappelé les principes physiques des effets de magnétoconcentration ou magnétodiode, nous donnons les derniers résultats relatifs à l'optimisation des performances. L'accent est mis davantage sur les aspects pratiques que sur des développements à caractère théorique.Nous donnons aussi les principales caractéristiques des capteurs réalisés sur divers matériaux et, en particulier, celles concernant les micromagnétodiodes intégrées avec la technologie silicium sur corindon. Nous dégageons les paramètres importants pour un fonctionnement optimal (sensibilité, bruit) dans une large gamme de température.Abstract. 2014 A synthesis on semiconductor magnetic sensors based on the concentration of charge carriers by a magnetic field is presented. Physical principles of magnetoconcentration and magnetodiode effects are reminded before giving last results on device improvement.The main features of sensors made from different semiconductors are given with a special attention to integrated micromagnetodiodes made with silicon on sapphire technology. The important parameters for the best working (sensitivity, noise) in a wide range of temperature are displayed.

show abstract

Section: Réalisations Expérimentalesunclassified

Bases physiques et performances des nouveaux (micro)capteurs magnétiques à semiconducteur

Chovet¹,

Cristoloveanu²

1984

Rev. Phys. Appl. (Paris)

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

Silicon films on sapphire

Cristoloveanu

1987

Rep. Prog. Phys.

View full text Add to dashboard Cite

The physical properties of silicon on sapphire (SOS) thin films and their impact on the operation of integrated devices are systematically reviewed. The preparation of the SOS material is described from the fabrication of the sapphire substrate and the silicon film heteroepitaxy up to the .recently proposed regrowth techniques. The microscopic properties and the relevant methods used for inspection are discussed with emphasis on autodoping, stress, lattice defects and interface behaviour. Following the presentation of average transport and recombination parameters, deduced from measurements involving the contribution of the whole film, the non-homogeneity of the S O S film along the epitaxial direction will be outlined. The electrical properties of the silicon-sapphire interface and of the interfacial transition layer are compared to those of the front Si-SiO, interface. Attempts are made to correlate the data derived by various characterisation techniques in order to reveal a coherent image of the Si film volume sandwiched by two very dissimilar interfaces. Finally, the processing and the performance of SOS devices are discussed and favourably compared to the case of bulk Si technology.

show abstract

Profiles of recombination and transport parameters in thin sos films

Cited by 2 publications

References 13 publications

Bases physiques et performances des nouveaux (micro)capteurs magnétiques à semiconducteur

Bases physiques et performances des nouveaux (micro)capteurs magnétiques à semiconducteur

Silicon films on sapphire

Contact Info

Product

Resources

About