Potential Power Performances of the Distributed Amplifiers

Gamand, P.; Crosnier, Y.; Gelin, Philippe

doi:10.1109/euma.1984.333443

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“…Ayant acquis antérieurement, au Laboratoire, une certaine expérience d'une part sur les MESFETs bigrilles [7] et, d'autre part, sur les amplificateurs distribués [8], il nous a paru intéressant de mettre à profit cette double expérience pour aborder une approche de la structure bigrille distribuée et de ses possibilités d'amplification. Pour effectuer une étude théorique la plus large possible, nous avons choisi une analyse de type circuit plutôt qu'une analyse de type onde et, pour cela, nous avons élaboré une modélisation reposant sur l'utilisation du logiciel Spice.…”

Section: Introductionunclassified

Structure MESFET AsGa bigrille distribuée. Performances potentielles en amplification

Byl

Crosnier

Salmer

1988

Rev. Phys. Appl. (Paris)

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2014 Nous présentons une étude des potentialités en amplification d'une structure MESFET AsGa bigrille distribuée, avec entrée sur la grille G1, sortie sur la grille G2, le drain étant découplé à la masse. Une modélisation, utilisant le logiciel Spice, permet d'examiner, successivement, les influences des impédances terminales, du développement, des pertes et de la polarisation des lignes de grilles. Une comparaison avec la structure monogrille distribuée est donnée. Enfin, la faisabilité du dispositif amplificateur est établie par des essais pratiqués sur une première réalisation. Abstract. 2014 We present a study on the amplification capabilities of a GaAs distributed dual-gate MESFET structure, with the gate G1 as input and the gate G2 as output, the drain electrode being R.F. grounded. A model, based on the Spice program, allows us to investigate, successively, the influences of the termination impedances, the width, the losses and the bias conditions of the gate lines. A comparison with the single gate distributed structure is reported. Lastly, the device feasability is demonstrated through measurements carried out from a first realization.

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Section: Introductionunclassified