Possibilities and limitations of focused laser technique application for SEE sensitivity parameters estimation

Abstract

Аннотация. В работе проводится анализ применимости методов оценки параметров чувствительности БИС по одиночным радиационным эффектам (ОРЭ) с использованием сфокусированного лазерного излучения пикосекундной длительности с целью расширения их применения для субмикронных БИС. Проведено сравнение структуры трека тяжелой заряженной частицы и области ионизации полупроводниковой структуры при облучении сфокусированным лазерным излучением. Показано, что сравнение геометрических размеров необходимо проводить за времена формирования ионизационной реакции, когда область ионизации трека расширяется за счет амбиполярной диффузии. Определены ограничения, обусловленные влиянием оптических неоднородностей, расположенных на поверхности кристалла БИС, а также при облучении с донной стороны кристалла. Показано, что лазерные методы могут быть применимы для оценки зависимостей сечений одиночных радиационных эффектов в функции линейных потерь энергии (ЛПЭ) для полупроводниковых структур с размерами, существенно меньшими, чем диаметр сфокусированного лазерного излучения. Представлены дополнительные возможности лазерных методов, позволяющие определять области возникновения ОРЭ, исследовать влияние режима и эффективность методов парирования ОРЭ. Представленные результаты позволяют использовать методы оценки параметров чувствительности по ОРЭ на основе сфокусированного ЛИ для БИС с глубоко субмиронными размерами. Ключевые слова: одиночные радиационные эффекты, сфокусированное лазерное излучение, параметры чувствительности.