Pore- and delamination-induced mismatch strain relaxation and conditions for the formation of dislocations, cracks, and buckles in the epitaxial AlN(0001)/SiC/Si(111) heterostructure

Massive Ag migration through metal/ceramic nano-multilayers: an interplay between temperature, stress-relaxation and oxygen-enhanced mass transport

“…Considering the large differences in thermal expansion coefficients between the Al 2 O 3 substrate and the Ag and AlN layers, the accumulation and subsequent relaxation of thermally-induced stress gradients in the NML upon heating could promote directional Ag migration. 20,32 Namely the relaxation of thermal stresses can be easily achieved at the free surface, but not at the interface. Indeed directional (inward) migration of Ag to the NML/substrate has not been observed in the present study.…”

Релаксация Механических Напряжений В Эпитаксиальных Пленках Кубического Карбида Кремния На Кремниевых Подложках С Буферным Пористым Слоем

“…где ε 0 -деформация пленки SiC [6]; α -разность коэффициентов теплового расширения слоев материалов 1 и 2, T = 1280…”

“…Ранее авторами [6,8] экспериментально показано, что применение пористого кремния в качестве буферного слоя в гетероструктурах 3C−SiC/Si, позволяет снизить значение остаточных напряжений. Для получения выражений, описывающих остаточные напряжения в гетроструктурах 3C−SiC/por-Si необходимо ввести указанные ниже корректировки.…”

“…Построение эпюр напряжений при наличии буферного мезопористого слоя проводится по аналогичной схеме с помощью уравнений равновесия. Условие равновесия также описывается уравнением (6). Выражение для деформации слоя карбида кремния можно получить введением упрощенной модели пористого слоя как массива вертикальных цилиндрических пор в сплошном материале.…”

“…Эпитаксия карбида кремния на подложках Si с приповерхностным пористым слоем (por-Si) позволяет существенно снизить внутренние напряжения несоответствия в синтезируемых пленках [6][7][8]. Тем не менее в настоящее время в специальной научной литературе отсутствуют научные исследования процессов релаксации внутренних напряжений гетероэпитаксиальных пленок 3C−SiC буферным слоем пористого кремния.…”