Poly(9-vinylcarbazole)–graphene oxide composite field-effect transistors with enhanced mobility

Атомный Состав И Стабильность Монослоев Ленгмюра-Блоджетт На Основе Силоксанового Димера Кватертиофена На Поверхности Поликристаллического Золота

“…С учетом табличных значений чувствительности регистрации XPS сигнала [21] при регистрации максимумов C 1s и S 2p при-мерное отношение концентраций атомов C и S без пред-варительной обработки поверхности образца составило 10 : 1. Как было показано ранее [10,20,24,25], следует считать, что при приготовлении органических пленок ex situ ∼ 10−20% измеряемой интенсивности C 1s мак-симума также обусловлено поверхностно адсорбирован-ными примесями. Таким образом, за вычетом влияния поверхностно адсорбированных атомов C измеренное соотношение атомных концентраций атомов С и S в составе слоя LB−D2−Und−4T−Hex можно оценить как 8 : 1.…”

“…Образцы таких устройств на основе силоксано-вого димера кватертиофена продемонстрировали долго-временную стабильность и воспроизводимость электро-физических характеристик в атмосферных лабораторных условиях. Подвижность носителей заряда дырочного ти-па достигала в них 3 · 10 −3 cm 2 /(V · s), что не уступает аналогичным характеристикам ОПТ на основе неупоря-доченных тонкопленочных органических и композитных материалов [7][8][9][10]. В сопряженных органических мате-риалах возможно достичь и на 1−2 порядка больших значений подвижности носителей заряда, однако это в большей степени относится к материалам, термически осажденным в вакууме и демонстрирующим кристал-лическую упорядоченность [11].…”

Незаполненные Электронные Состояния И Формирование Интерфейса Между Пленками Диметил Замещенных Тиофен- Фенилен Соолигомеров И Поверхностью Окисленного Кремния

“…Органические полевые транзисторы (OFET) на основе определенных видов кристаллов ТФСО де-монстрировали значения подвижности носителей заряда 7 · 10 −2 −9 · 10 −2 cm 2 /(V · s) [10]. Это является доста-точно высоким значением OFET-подвижности для од-нокомпонентных органических материалов, однако при использовании гибридных органических/неорганических материалов возможно достижение значений OFET-под-вижности порядка 1 cm 2 /(V · s) [12][13][14]. В результате исследований тонких и сверхтонких (десятки-сотни нанометров) пленок ТФСО, сформи-рованных путем термического вакуумного осаждения, была также показана перспективность в плане разра-ботки OLED устройств, продемонстрированы диодные характеристики при использовании чередующихся сло-ев ТФСО n-и p-типа проводимости [6,7].…”

Density of the unoccupied electronic states of the ultrathin films of the aziridinylphenylpyrrol substituted fullerene

“…The surface science techniques were used successfully to characterize the energy level alignment and the density of the electronic states at organic film interfaces with metal and semiconductor surfaces [6,7]. The electronic properties of the surface organic layers can be tuned by means of the influence of the substrate material [2,6,7], by forming hybrid materials [1,3,8] or by introducing polar substituents into the molecules [9,10]. The molecule substitution by electron withdrawing groups would typically provide a stabilization of the energy positions of the edges of the forbidden energy gap and to narrowing of the bandgap [9,10,11].…”