2017
DOI: 10.1088/1742-6596/950/4/042047
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Polarization mode switching in p-AlGaAs/GaAsP/n-AlGaAs diodes in presence of compressive stress

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...

Citation Types

0
0
0
1

Year Published

2021
2021
2021
2021

Publication Types

Select...
2

Relationship

0
2

Authors

Journals

citations
Cited by 2 publications
(1 citation statement)
references
References 11 publications
0
0
0
1
Order By: Relevance
“…Стандартные" методы создания поляризации, основанные на преобразовании света с помощью электрооптических кристаллов, уже не удовлетворяют требованиям компактности и интегрируемости в оптоэлектронную схему. Одним из новых принципов управления поляризационными свойствами излучения является использование анизотропии преломления оптического кристалла за счет приложения внешнего воздействия [4,5]. Приложение внешнего воздействия (механическое сжатие) позволяет понизить степень симметрии лазерного кристалла, благодаря чему в кристаллах кубической сингонии (в том числе A 3 B 5 ) становится возможным существование двух взаимно перпендикулярных направлений поляризации (явление двулучепреломления).…”
unclassified
“…Стандартные" методы создания поляризации, основанные на преобразовании света с помощью электрооптических кристаллов, уже не удовлетворяют требованиям компактности и интегрируемости в оптоэлектронную схему. Одним из новых принципов управления поляризационными свойствами излучения является использование анизотропии преломления оптического кристалла за счет приложения внешнего воздействия [4,5]. Приложение внешнего воздействия (механическое сжатие) позволяет понизить степень симметрии лазерного кристалла, благодаря чему в кристаллах кубической сингонии (в том числе A 3 B 5 ) становится возможным существование двух взаимно перпендикулярных направлений поляризации (явление двулучепреломления).…”
unclassified