Platinum silicide formation on selected semiconductors surfaces via thermal annealing and intercalation

Idczak, K.; Owczarek, Sylwia; Markowski, L.

doi:10.1016/j.apsusc.2021.151345

Cited by 7 publications

(3 citation statements)

References 46 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Order By: Relevance

“…Подобные структуры характеризуются сложностью конструкции и изготовления, что определяет их высокую стоимость. Существуют также датчики на основе диодов Шоттки, например на основе силицида платины [4], фотоприемники на основе термоэлектрического эффекта [5], а также пироэлектрические [6].…”

Section: Introductionunclassified

ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ МАССИВА ИЗОЛИРОВАННЫХ ПОЛИМЕРНЫХ НАНОЧАСТИЦ P(VDF-TrFE) В ПОРАХ ПЕРИОДИЧЕСКОЙ НАНОСТРУКТУРИРОВАННОЙ МАТРИЦЫ ОКСИДА КРЕМНИЯ

Белов,

Востров,

Пестов

et al. 2023

Physical and Chemical Aspects of the Study of Clusters, Nanostructures and Nanomaterials

View full text Add to dashboard Cite

Настоящая работа посвящена технологическим особенностям создания массива пироэлектрических наночастиц, размещенных в порах мембраны оксида кремния, обеспечивающей их теплоизоляцию как друг от друга, так и от поддерживающей подложки. Установлены механизмы анодного окисления структуры Al/Ti/SiO2, обеспечивающие самоорганизацию наноструктурированной оксидной маски с заданными геометрическими параметрами. Показано, что с некоторой толщины адгезионного слоя, не происходит зарастания открытых областей маски наночастицами оксида титана. Определены закономерности способа локального ионного травления многослойных структур, обеспечивающая контроль глубины образуемых пор за счет контроля ионного тока. Установлена корреляция латерального размера углублений в кремнии с величиной аспектного отношения пор оксида алюминия. Продемонстрирована возможность формирования мембраны оксида кремния со встроенными в его поры наночастицами пироэлектрического полимера. Ключевые слова: полимерный пироэлектрик, пористый оксид кремния, ионно-лучевое травление, ИК-фотоприемник, пористый анодный оксид, алюминия, микромембрана, анизотропное травление.

show abstract

Section: Introductionunclassified

ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ МАССИВА ИЗОЛИРОВАННЫХ ПОЛИМЕРНЫХ НАНОЧАСТИЦ P(VDF-TrFE) В ПОРАХ ПЕРИОДИЧЕСКОЙ НАНОСТРУКТУРИРОВАННОЙ МАТРИЦЫ ОКСИДА КРЕМНИЯ

Белов,

Востров,

Пестов

et al. 2023

Physical and Chemical Aspects of the Study of Clusters, Nanostructures and Nanomaterials

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…For example, ohmic contact with the lightly doped thin device layer is best achieved by the formation of a thin layer of PtSi alloys at the interface of Ta/Pt and silicon. However, this process is too sensitive to the thickness of the silicide formation and the annealing temperature to provide reproducible results with our device layer thickness [ 22 , 23 , 24 , 25 , 26 , 27 , 28 , 29 ]. We have overcome this issue by optimization of the annealing process to get a reliable planar junctionless FET device, and in the end, we have demonstrated the pH sensing performance of our fabricated device.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Planar Junctionless Field-Effect Transistor for Detecting Biomolecular Interactions

Shukla

Bomer

Wijnperle

et al. 2022

Sensors

View full text Add to dashboard Cite

Label-free field-effect transistor-based immunosensors are promising candidates for proteomics and peptidomics-based diagnostics and therapeutics due to their high multiplexing capability, fast response time, and ability to increase the sensor sensitivity due to the short length of peptides. In this work, planar junctionless field-effect transistor sensors (FETs) were fabricated and characterized for pH sensing. The device with SiO2 gate oxide has shown voltage sensitivity of 41.8 ± 1.4, 39.9 ± 1.4, 39.0 ± 1.1, and 37.6 ± 1.0 mV/pH for constant drain currents of 5, 10, 20, and 50 nA, respectively, with a drain to source voltage of 0.05 V. The drift analysis shows a stability over time of −18 nA/h (pH 7.75), −3.5 nA/h (pH 6.84), −0.5 nA/h (pH 4.91), 0.5 nA/h (pH 3.43), corresponding to a pH drift of −0.45, −0.09, −0.01, and 0.01 per h. Theoretical modeling and simulation resulted in a mean value of the surface states of 3.8 × 1015/cm2 with a standard deviation of 3.6 × 1015/cm2. We have experimentally verified the number of surface sites due to APTES, peptide, and protein immobilization, which is in line with the theoretical calculations for FETs to be used for detecting peptide-protein interactions for future applications.

show abstract

“…The direct deposition of Pt on oxide or nitride substrates results in the low stability of such systems at high temperatures [ 26 , 27 ] due to poor adhesion leading to the delamination of the metal from the substrate [ 27 , 28 ]. The chemical interaction of Pt with silicon-based substrates [ 29 , 30 ] is also possible. A thin adhesion layer with a high affinity for oxygen allows one to solve these problems being introduced between the resistive layer and the substrate.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Long-Term Operational Stability of Ta/Pt Thin-Film Microheaters: Impact of the Ta Adhesion Layer

et al. 2022

View full text Add to dashboard Cite

Microheaters with long-term stability are crucial for the development of a variety of microelectronic devices operated at high temperatures. Structured Ta/Pt bilayers, in which the Ta sublayer ensures high adhesion of the Pt resistive layer, are widely used to create microheaters. Herein, a comprehensive study of the microstructure of Ta/Pt films using high-resolution transmission electron microscopy with local elemental analysis reveals the twofold nature of Ta after annealing. The main fraction of Ta persists in the form of tantalum oxide between the Pt resistive layer and the alumina substrate. Such a sublayer hampers Pt recrystallization and grain growth in bilayered Ta/Pt films in comparison with pure Pt films. Tantalum is also observed inside the Pt grains as individual Ta nanoparticles, but their volume fraction is only about 2%. Microheaters based on the 10 nm Ta/90 nm Pt bilayers after pre-annealing exhibit long-term stability with low resistance drift at 500 °C (less than 3%/month).

show abstract

Platinum silicide formation on selected semiconductors surfaces via thermal annealing and intercalation

Cited by 7 publications

References 46 publications

ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ МАССИВА ИЗОЛИРОВАННЫХ ПОЛИМЕРНЫХ НАНОЧАСТИЦ P(VDF-TrFE) В ПОРАХ ПЕРИОДИЧЕСКОЙ НАНОСТРУКТУРИРОВАННОЙ МАТРИЦЫ ОКСИДА КРЕМНИЯ

ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ МАССИВА ИЗОЛИРОВАННЫХ ПОЛИМЕРНЫХ НАНОЧАСТИЦ P(VDF-TrFE) В ПОРАХ ПЕРИОДИЧЕСКОЙ НАНОСТРУКТУРИРОВАННОЙ МАТРИЦЫ ОКСИДА КРЕМНИЯ

Planar Junctionless Field-Effect Transistor for Detecting Biomolecular Interactions

Long-Term Operational Stability of Ta/Pt Thin-Film Microheaters: Impact of the Ta Adhesion Layer

Contact Info

Product

Resources

About