Physikalische Eigenschaften von nach einer modifizierten Kyropoulos‐Methode gezüchteten NaCl‐ und KCl‐Kristallen

Abstract

Instytut Niskich Temperatur i Badan Strukturalnych PAN, Wroclaw undIiistitut fur FcstkBrperphysik der Tschechoslomak. Akademie dcr U'isrrenschaften. Prw Physikalische Eigenschaften yon nach einer modifizierten Kyropoulos-Methode geziichteten NaClund KC1-KristallenEs werden die physikalischen Eigenschaften von NaCl-und KC1-Einkristallen, welche aus vorher mit Phosgen behandelten Ausgangsmaterialien geziichtet wurden, beschrieben. Die Absorptionsmessungen im UV-und IR-Gebiet sowie auch die Mikroharte und CRSS, Versetzungsdichte, Ionenleitfiihigkeit und das Studium der Farbzentrenkinetik zeigen, da13 die mit der beschriebenen modifizierten Kyropoulos-Methode geziichteten Kristalle nicht nur keine OH-Ionen, sondern auch keine anderen sauerstoffhaltigen Fremdanionen onthalten.The physical properties of NaCl and KCI crystals prepared from melts by the Kyropoulos method are described. The material was firstly refined by phosgcn (COCl,) by which the anion impurities were removed from t h e melt. The mcasurements of the absorption inUV and I R region, the microhardness and CRSS, the dislocation densities, the ionic conductivity and tho study of the kinetics of colour centres show that crystals prepared by the described modified Kyropoulos method are not only free from OH-ions but also from all other foreign anions with oxygen.100 "C hoher liegt als der Schmelzpunkt. Das Phosgen stromt solange hindurch, bis alle Spuren des Sauerstoffs reagiert haben. Das lafit sich gut a n der Form

Latent hardening of doped alkali halide single crystals

“…It is assumed that the impurity concentration determines z, , even in our purest crystals, whereas the work hardening beyond zo depends only on dislocation interactions. Etch pit observations on different alkali halide crystals (LiF [18], NaC1 [19], KC1 [20]) yield a z -1; relation between flow stress z and the screw dislocation density in the The secondary dislocations activated in the latent system have to overcome the primary dislocation forest. This requires a stress z1= A v' ef (2) (.4 = gpb, g forest interaction parameter, ef forest dislocation density).…”