Physical Properties of Several II-V Semiconductors

Turner, William J.; Fischler, Abraham S.; Reese, W.

doi:10.1103/physrev.121.759

Cited by 164 publications

(84 citation statements)

References 17 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Values of 0.5-0.53eV for single crystal ZnSb, which were measured by optical absorption, have been reported [44,45]. These values [46,47].…”

Section: Experimental Band Gapmentioning

confidence: 99%

See 1 more Smart Citation

Review of Research on the Thermoelectric Material ZnSb

Song¹,

Finstad²

2016

Thermoelectrics for Power Generation - A Look at Trends in the Technology

View full text Add to dashboard Cite

The thermoelectric material ZnSb has been studied intensively in recent years and has shown promising features. The other zinc-antimonide compound, Zn 4 Sb 3 has remarkable low thermal conductivity, but it is accompanied with phase transitions at moderate temperature and has inherent stability problems. Compared to that, ZnSb is relatively phase stable and has a relative high charge carrier mobility and Seebeck coefficient, thus yielding a decent power factor. Meanwhile, its thermal conductivity can be reduced by means of nanostructuring, thus giving a good figure of merit at moderate temperatures, 400-600K. Many researchers have dedicated their efforts to study and improve ZnSb properties, and the figure of merit has been reported to be above one. Still, ZnSb as a thermoelectric material has features and behaviours that are not well-understood. The behaviour and properties of its intrinsic defects are not understood, but have interested researchers in recent years. This chapter intends to offer a comprehensive review on ZnSb to the readers. By combining own experiences from research on thermoelectric materials, the authors address the prospect for improving the thermoelectric properties of ZnSb and the concerns of transferring lab results to manufacturing.

show abstract

“…Values of 0.5-0.53eV for single crystal ZnSb, which were measured by optical absorption, have been reported [44,45]. These values [46,47].…”

Section: Experimental Band Gapmentioning

confidence: 99%

“…Many observed a slow recovery to the initial values of the charge carrier concentration [15,20,44,45,47,61,77]. Andronik et al specifically attributed this change to Frenkel defects [77]: by Zn atoms leaving their lattice sites and becoming vacancy-interstitial pairs, V Zn -Zn I .…”

Section: Zn Vacancies and Intrinsic Defectsmentioning

confidence: 99%

Review of Research on the Thermoelectric Material ZnSb

Song¹,

Finstad²

2016

Thermoelectrics for Power Generation - A Look at Trends in the Technology

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…В моногра-фии [3] дан детальный обзор методам синтеза этого соединения и исследованиям его физических свойств. В первых исследованиях электрофизических свойств нелегированных кристаллов CdAs 2 , выращенных раз-личными методами и всегда обладающих n-типом про-водимости, установлены анизотропия удельного сопро-тивления, изотропия коэффициентов Холла, отсутствие продольного магнитосопротивления [4][5][6][7]. На этом ос-новании сделан вывод, что поверхности постоянной энергии могут быть представлены эллипсоидами вра-щения, ориентированными вдоль оси 4-го порядка c, тогда отношение удельных сопротивлений ρ a /ρ c равно отношению эффективных масс электронов в a и c на-правлениях m a /m c ≈ 4.…”

Section: Introductionunclassified

“…На этом ос-новании сделан вывод, что поверхности постоянной энергии могут быть представлены эллипсоидами вра-щения, ориентированными вдоль оси 4-го порядка c, тогда отношение удельных сопротивлений ρ a /ρ c равно отношению эффективных масс электронов в a и c на-правлениях m a /m c ≈ 4. Этот результат был подтвержден исследованиями циклотронного резонанса [8], в которых для эффективных масс электронов в направлениях a и c получены значения: m a = 0.58m 0 , m c = 0.15m 0 (m 0 -масса свободного электрона), отношение m a /m c = 3.87 близко к оцененному в [5]. Значения эффективных масс дырок также оказались анизотропными и равны-ми m a = 0.346m 0 , m c = 0.094m 0 .…”

Section: Introductionunclassified

“…В работах [5,13] в области длинноволнового края собственного поглощения наблюдались два поля-ризованных края. Один из них определяется прямыми переходами для E c при энергии 1 эВ, а другой для E a при 1.04 эВ, причем интенсивность поглощения при параллельной поляризации больше, чем при пер-пендикулярной, где E -вектор напряженности элек-трического поля волны, падающей на образец.…”

Section: Introductionunclassified

See 1 more Smart Citation

Первопринципное Исследование Электронного И Колебательного Строений Тетрагонального Диарсенида Кадмия

Басалаев¹,

Копытов²,

Поплавной³

et al. 2017

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

Электронный спектр, деформационная электронная плотность и фононные частоты в центре зоны Бриллюэна тетрагонального соединения CdAs2 вычислены из первых принципов на основе метода функционала плотности. Установлено, что кристалл является непрямозонным с шириной запрещенной зоны ~ 1 эВ, что хорошо согласуется с известными оптическими и электрофизическими экспериментальными данными. Изучены особенности образования химической связи в кристалле, обусловленные тем, что атомы мышьяка образуют спиральные цепочки из ковалентных связей As-As, тогда как связь Cd-As является ионно-ковалентной. Вычисленные из первых принципов и в модели Китинга фононные частоты сопоставлены между собой и с экспериментом, выполнен анализ парциональных вкладов атомов Cd и As. DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44562.8434

show abstract

ZnSb Films on Flexible Substrates: Stability, Optical Bandgap, Electrical Properties, and Indium Doping

Elhoussieny,

Rehaag,

Bell

2023

Adv Elect Materials

View full text Add to dashboard Cite

Undoped and In‐doped ZnSb thin films are deposited on rigid glass and flexible polyimide (Kapton) by physical vapor deposition. Detailed structural and chemical characterization is performed along with measurement of electrical and optical properties. These properties are very similar for films on glass and Kapton. Flexible ZnSb films show remarkable stability of electrical and optical properties, which are unchanged after 104 cycles of linear bending with surface strain 0.18%. Only severe flexing after this treatment (torsional bending with surface strain 1.7%) causes progressive degradation of conductivity over tens to hundreds of cycles. The ZnSb optical direct gap is determined to be 0.89 ± 0.05 eV. The optical direct gap of β Zn4Sb3 was 1.07 ± 0.05 eV. Other absorption features in the films, including smaller indirect gaps, are discussed.

show abstract

Physical Properties of Several II-V Semiconductors

Cited by 164 publications

References 17 publications

Review of Research on the Thermoelectric Material ZnSb

Review of Research on the Thermoelectric Material ZnSb

Первопринципное Исследование Электронного И Колебательного Строений Тетрагонального Диарсенида Кадмия

ZnSb Films on Flexible Substrates: Stability, Optical Bandgap, Electrical Properties, and Indium Doping

Contact Info

Product

Resources

About