Physical limits and lifetime limitations of semiconductor devices at high temperatures

Smart electricity meter reliability prediction based on accelerated degradation testing and modeling

“…The former processes the loading measurements by the diverter, and then transfers the measured signal to the metering chip. Due to the metallic material of the diverter, its resistance value is unstable when operating at high temperature, which in general results in decreased metering accuracy [28]. In addition, the stability of the reference value of the voltage of the metering chip is dependent on the proper operation of the power supplying module, whose components are not stable at a high temperature [29].…”

Ceramic Substrates for High-temperature Electronic Integration

“…New power electronic devices designed for operation at high temperatures would require extensive alterations, affecting their entire environment, such as the passivation, encapsulation, and substrates. [1][2][3] This therefore requires adaption of the technological choices to the critical environmental constraints, and particularly the temperature ones. This also implies modification of most of the converter components (active and passive) for an environment where the ambient temperature can easily exceed 200°C, as is usually studied.…”

Composants à semi-conducteur de puissance pour des applications à haute température de fonctionnement

“…C'est également la raison pour laquelle les composants à grand gap sont mieux adaptés pour des applications à température de fonctionnement élevée (Fig.4). Pour des dispositifs haute tension (1000V), la limite théorique du silicium est de 150°C alors quelle est de 900°C pour du 6H-SiC [1]. Pour des dispositifs 100V, celle-ci est de l'ordre de 250°C pour du Si (Fig.5).…”

“…Pour des dispositifs 100V, celle-ci est de l'ordre de 250°C pour du Si (Fig.5). La seconde conséquence de l'augmentation de n i concerne l'accroissement du courant de fuite en volume des jonctions PN qui est considéré comme une des principale limitation à l'augmentation de la température [1,2]. Ce courant de fuite a deux origines.…”

“…Composants à semi-conducteur de puissance pour des applications à haute température de fonctionnement B.Allard (1) G.Coquery (2) L.Dupont (2,3) Z.Khatir (2) M.Lazar (1) S.Lefebvre (3) R.Meuret (4) H.Morel (1) D.Planson (1) ( Résumé-L'article décrit les principales limitations (puce, connexions et assemblage) à la montée en température des composants à semi-conducteur de puissance, et montre quels peuvent être en 2003 les composants les mieux adaptés pour des applications à haute température de fonctionnement telles qu'on peut les rencontrer dans le domaine de l'aviation.…”