Photoluminescence and dielectric properties of (Al/Cu) and (In/Cu) co-doped ZnO sprayed thin films under the oxygen deficiency conditions

Askri, B.; Riahi, I.; Mimouni, R.; Amlouk, M.

doi:10.1016/j.spmi.2020.106731

Cited by 8 publications

(1 citation statement)

References 46 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Эти дефекты образуют в запрещенной зоне полупроводника два энергетических уровня 2 Т2 и 2 Е, на которые возможен переход возбужденного электрона из зоны проводимости хозяина [6,[8][9][10][11]. Плечо пика (рисунок 1), продолжающееся в зеленую область спектра, подтверждает наличие созданных двухвалентной медью глубоких ловушек в запрещенной зоне сульфида цинка и переход на них электрона [11,17].…”

Section: экспериментальная частьunclassified

Фотолюминесценция Многослойных Квантовых Точек Аiibvi, Легированных Ионами Марганца (Ii) И Меди (I, Ii)

Александровна¹,

Викторовна²,

Викторович³

et al. 2021

Ползуновский Вестник

View full text Add to dashboard Cite

Аннотация. Ионы марганца (II) и меди (I, II) являются востребованными легирующими примесями, способными существенно модифицировать оптический спектр полупроводниковой матрицы. В литературе встречаются противоречивые данные о влиянии ионов меди и совместном влиянии ионов меди и марганца на фотолюминесцентные свойства полупроводниковых квантовых точек. Цель данной работы -получение многослойных квантовых точек на основе сульфидов цинка и кадмия, совместно легированных ионами марганца и меди, закрепленных в полимерной матрице, и изучение их фотолюминесцентных свойств. В качестве метода получения легированных многослойных квантовых точек был выбран метод коллоидного синтеза, отверждение коллоидных растворов проводили радикальной термической полимеризацией, влияние легирующих ионов оценивали по изменениям в спектрах фотолюминесценции. Исходя из спектров фотолюминесценции, ионы меди значительно изменяют эмиссионные свойства наночастиц. Находясь в кристаллической решетке полупроводника, как в одновалентном, так и в двухвалентном состоянии, ионы меди создают многочисленные дефекты в решетке и на поверхности полупроводников, являющиеся эффективными центрами фотолюминесценции. Внешне влияние дефектов проявляется в уширении полосы фотолюминесценции, связанной с собственными дефектами сульфида цинка, появлении пологого плеча данной полосы, продолжающегося до зеленой области спектра, практически полным исчезновением полосы фотолюминесценции сульфида кадмия. Фотолюминесценция, связанная с ионами марганца, на зарегистрированных спектрах не проявляется.

show abstract

Section: экспериментальная частьunclassified