Phase relations in Ga2X3-GaY3 systems (X=Se,Te; Y=Cl,Br,I) — Crystal growth, structural relations and optical absorption of intermediate compounds GaXY

Synthese und Hochdruckverhalten quaternärer Chalkogenidhalogenide M2M′X3Y (M = Zn, Cd; M′ = Al, Ga, In; X = Se, Te; Y = CI, Br, I) / Synthesis and High-Pressure Behaviour of Quaternary Chalcogenide Halides M2M′X3Y (M = Zn, Cd; M′ = Al, Ga, In; X = Se, Te; Y = Cl, Br, I)

“…Die Darstellung der ternären Chalkogenidhalogenide M'XY erfolgte nach Literaturvorschriften [7][8][9][10][11][12] Diese fielen aufgrund der Reaktionsbedingungen in Defekt-NaCl-Struktur an.…”

Phasenbeziehungen und intermediäre Verbindungen in Systemen GaX3 – Ga2S3 und InX3 – In2S3 (X = Cl, Br, I) / Phase Relations and Intermediate Compounds in Systems GaX3 – Ga2S3 and InX3 – In2S3 (X = Cl, Br, I)

“…Darstellung und Reinigung der binären Halogenide GaX 3 und InX 3 (X = CI, Br, I) sind bereits in [6][7][8][9][10] GaBr" MOLE-% Ga-,S- beobachteten Zersetzungstemperaturen (155 °C bis 380 °C). GaSCl und GaSBr weisen bei höheren Temperaturen eine Phasenbreite zur halogenreicheren Seite der Systeme auf; der peritektische Punkt ist ebenfalls in diese Richtung verschoben.…”

“…GaSI, s. Abb. 3; GaTel [10] und GaSeBr [10]) sehr lange Identitätsperioden in Richtung der Nadelachsen der Kristalle vorliegen; z.B. : 49,2 Ä (GaSI [20]), 56,0 Ä (GaTel [18]) und 52,5 Ä (GaSeBr [18]).…”

“…Ternäre Chalkogenidhalogenide des Galliums und Indiums mit l:l:l-Zusammensetzung sind nach ihrer erstmaligen Darstellung und Charakterisierung [1][2][3] in jüngerer Zeit erneut Gegenstand weiterfüh-render systemanalytischer, kristallographischer und physikalischer Untersuchungen [4][5][6][7][8][9][10]. Die Selenound Telluroverbindungen sind -abgesehen von einer metastabilen Modifikation des InTeCl [7] thermodynamisch stabile intermediäre Phasen der quasibinären Schnitte (III)X 3 -(III) 2 Y 3 .…”

Composition Control of Low-Volatility Solids Through Chemical Vapor Transport Reactions. I. Theory of Selective Chemical Vapor Transport

“…In earlier work, [16,17] the authors demonstrated the possibility of application of iodide transport to control the composition of low-volatility gallium selenides in the temperature range of 800 £ T £ 1000 K and pressure range of 3Â10 4 £ P £ 3Â10 5 Pa, that is, at the conditions when ternary compounds (for example, GaSeI [18] ) are not stable. To control composition of gallium selenides, the following nonisothermal closed system was used: [12] Sample at T 2 (GaSe or Ga 2 Se 3 single crystals)-Vapor GaI + GaI 3 -Charge at T 1 (pure Ga) (quartz ampoule in the twozone horizontal furnace as shown in Fig.…”