Phase formation under the effect of spinodal decomposition in epitaxial alloys of Ga x In1 − x P/GaAs(100) heterostructures

Seredin, P. V.; Domashevskaya, É. P.; Rudneva, Val. E.; Gordienko, N. N.; Glotov, A. V.; Arsentyev, I. N.; Vinokurov, D. A.; Stankevich, A. L.; Tarasov, I. S.

doi:10.1134/s106378260909022x

Cited by 7 publications

(3 citation statements)

References 2 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Анализ экспериментальных данных, полученных в настоящей работе на основе комплекса структурно-спектроскопических исследований, моделирования опти-ческих спектров, а также сравнение полученных нами результатов с данными из ряда литературных источни-ков [1,7,9,13,15,32] позволяют сделать следующие заклю-чения о влиянии эффектов атомного упорядочения на свойства эпитаксиальных твердых растворов Ga x In 1−x P, выращенных когерентно на подложках GaAs(100).…”

Section: обсуждение полученных результатовunclassified

Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga-=SUB=-x-=/SUB=-In-=SUB=-1-x-=/SUB=-P на их оптические свойства

Seredin¹,

Голощапов²,

Lenshin³

et al. 2017

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

(Получена 12 декабря 2016 г. Принята к печати 1 февраля 2017 г.)В работе комплексом спектроскопических методов изучены свойства эпитаксиальных твердых растворов Gax In 1−x P с упорядоченным расположением атомов в кристаллической решетке, выращенных методом MOCVD на монокристаллических подложках GaAs(100). В условиях когерентного роста упорядоченного твердого раствора Gax In 1−x P на GaAs(100) появление атомного упорядочения приводит к кардинальному изменению оптических свойств полупроводника по сравнению со свойствами неупорядоченных твердых растворов, среди которых уменьшение ширины запрещенной зоны и усиление люминесценции.Впервые на основе данных дисперсионного анализа ИК-спектров отражения, а также данных УФ-спектроскопии, полученных в режиме пропускание-отражение, определены основные оптические характе-ристики твердых растворов Gax In 1−x P с упорядочением, а именно дисперсия коэффициента преломления, высокочастотная диэлектрическая проницаемость. Все экспериментальные результаты находятся в хорошем согласии с развитыми теоретическими представлениями.

show abstract

Section: обсуждение полученных результатовunclassified

Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga-=SUB=-x-=/SUB=-In-=SUB=-1-x-=/SUB=-P на их оптические свойства

Seredin¹,

Голощапов²,

Lenshin³

et al. 2017

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Анализ экспериментальных данных, полученных в работе на основе комплекса структурно-микроскопичес-ких исследований, а также сравнение полученных нами результатов с данными из ряда литературных источ-ников [1,2,5,6,12,[18][19][20] позволяют сделать следующие заключения о влиянии эффектов атомного упорядо-чения на свойства эпитаксиальных твердых раство-ров Ga x In 1−x P, выращенных когерентно на подложках GaAs(100).…”

Section: обсуждение полученных результатовunclassified

“…Подводя итоги работы можно сделать заключение о том, что полученные в данной реботе результаты нахо-дятся в хорошем согласии с данными, полученными для систем AlGaAs [6,9,22,23], GaInAsP [7,19] и InGaAs [17] с упорядочением, а также показывают перспективы для инженерии запрещенной зоны гетероструктур путем объединения эффектов от тетрагональной дисторсии при эпитаксиальном росте с эффектами атомного упорядоче-ния. Для этого необходимо хорошо знать оптические и энергетические свойства твердых растворов с упорядо-чением в ИК-и УВ-диапазонах.…”

Section: обсуждение полученных результатовunclassified

Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga-=SUB=-x-=/SUB=-In-=SUB=-1-x-=/SUB=-P на их структурные и морфологические свойства

Seredin¹,

Lenshin²,

Худяков³

et al. 2017

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

Комплексом структурных и микроскопических методов изучены свойства эпитаксиальных твердых растворов GaxIn1-xP с упорядоченным расположением атомов в кристаллической решетке, выращенных методом MOCVD на монокристаллических подложках GaAs(100). Показано, что в условиях когерентного роста упорядоченного твердого раствора GaxIn1-xP на GaAs(100) появление атомного упорядочения приводит к кардинальному изменению структурных свойств полупроводника по сравнению со свойствами неупорядоченных твердых растворов, среди которых изменение параметра кристаллической решетки и, как следствие, понижение симметрии кристалла, а также образование двух различных типов нанорельефа поверхности. Впервые с учетом упругих напряжений рассчитаны параметры твердых растворов GaxIn1-xP с упорядочением в зависимости от параметра порядка. Показано, что все экспериментальные результаты находятся в хорошем согласии с развитыми теоретическими представлениями. DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44802.8480

show abstract

The problem of XANES spectrum interpretation measured by TEY technique at different photon glancing angles

Andreeva

Repchenko

Domashevskaya

et al. 2013

Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena

View full text Add to dashboard Cite

Phase formation under the effect of spinodal decomposition in epitaxial alloys of Ga x In1 − x P/GaAs(100) heterostructures

Cited by 7 publications

References 2 publications

Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga-=SUB=-x-=/SUB=-In-=SUB=-1-x-=/SUB=-P на их оптические свойства

Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga-=SUB=-x-=/SUB=-In-=SUB=-1-x-=/SUB=-P на их оптические свойства

The problem of XANES spectrum interpretation measured by TEY technique at different photon glancing angles

Contact Info

Product

Resources

About