Persistent Luminescence Materials

Abstract

Abstract. The luminescent efficiency of rare earth ions is usually drastically lowered when defects are present in the host lattice. Persistent luminescence is the most recent rare earth application based on lattice defects. Typical materials are the Eu + ions as codopants enhance greatly the duration and intensity of persistent luminescence. As a result of very slow thermal bleaching of the excitation energy from the lattice defects acting as traps, the new persistent luminescent materials yield luminescence still visible to naked eye for more than ten hours. Despite the seemingly simple stoichiometry and structure of these materials, the determination of persistent luminescence mechanism(s) presents a very complicated problem. This report~resents in detail some of the factors affecting the luminescence properties of the Eu +,R 3 + doped MAIz0 4 • The possible mechanisms involved with different defect centers and interactions between them and the emitting Eu 2 + ion are discussed based on the results of systematic investigations carried out on the preparation, composition, structure and different luminescence properties.

Controlled Electron–Hole Trapping and Detrapping Process in GdAlO3 by Valence Band Engineering

“…An afterglow phosphor (or storage phosphor) is composed of the host lattice, the recombination (luminescence) center, and the trapping center. The trapping center can be either an electron- or a hole-trapping center . For afterglow phosphors, the captured electrons/holes are spontaneously released at room temperature from the trapping center and recombine in the luminescence center, eventually causing emission that can range from UV to even near-infrared, depending on the luminescence centers and host lattices. , For storage phosphors, deeper traps are needed to prevent the thermal fading at room temperature …”

>i<Design>/i< de materiais Sr>sub<2>/sub<MgSi>sub<2>/sub<O>sub<7>/sub<:Eu>sup<2+>/sup<,TR>sup<3+>/sup< com luminescência persistente eficiente: efeitos da estrutura eletrônica e metodologia de síntese

“…fim de se obter informações sobre estrutura, morfologia, estados de oxidação e comportamento térmico dos sistemas estudados, os materiais Sr2MgSi2O7:Eu 2+ ,TR 3+ preparados a ~1150 °C foram caracterizados pelas seguintes técnicas: espectroscopia de absorção na região do infravermelho (FTIR), difratometria de raios X método do pó (XPD), microscopia eletrônica de varredura (SEM), análise de rastreamento de nanopartículas (NTA) do monitoramento de variações na temperatura da amostra, permite obter informações de eventos endotérmicos e exotérmicos envolvidos neste processo[136].Desta forma, foram realizadas análises TG/DTG e DTA simultaneamente dos precursores utilizados no método CCM (MASS) e CPC de forma a se investigar as transformações ocorridas durante a síntese dos materiais. Também se observou a presença de nitratos residuais, portanto em sua decomposição é esperado que ocorra a liberação de apenas H2O e NOx[19,137,138]. NOx residual oriundo dos nitratos precursores na fase de coprecipitação.…”

“…a segunda etapa de perda de massa ocorre entre 340 -890 °C relacionados à decomposição de NO3residual. O evento endotérmico centrado em 903 °C observado na curva DTA (Figura 4.2b), sem a observação de perda de massa na curva TG, é atribuído à formação da fase tetragonal do Sr2MgSi2O7[19,72,138]. espectroscopia de absorção na região do infravermelho (Fourier Transform Infrared Spectroscopy -FTIR) se baseia na absorção de luz na região do infravermelho por um composto.…”