Perfecting the Solid State

Queisser, H. J.

doi:10.1146/annurev.ms.22.080192.000245

Cited by 4 publications

(2 citation statements)

References 34 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Contudo, a idéia que prevalece é em favor do plano glide, baseada em evidências experimentais que demonstram que as discordâncias em Si são dissociadas em parciais de Shockley ligadas a fitas de falhas de empilhamento, além do fato de as falhas de empilhamento não serem estáveis no plano shuffle [191][192][193]. Todavia, Louchet e Thibault-Desseaux [194] têm argumentado que as parciais na posição shuffle ocorreriam em conjunto com as falhas de empilhamento no plano glide.…”

Section: Introductionunclassified

“…Ambas as geometrias SP e DP são consistentes com todas informações disponíveis experimentalmente sobre as discordâncias parciais de 90º. Medidas de Electron Paramagetic Ressonance (EPR) em Si indicam uma pequena densidade de ligações pendentes (dangliang bonds) no caroço da discordância [191][192][193]. As duas estruturas são completamente reconstruídas, o que significa que nenhuma delas aumentariam os estados de gap profundo que poderiam aparecer em sinais de EPR.…”

Section: Introductionunclassified

See 1 more Smart Citation

Da ordem à desordem

Miranda¹

View full text Add to dashboard Cite

AgradecimentosO tempo de um doutoramento é relativamente longo para que uma única página, seja possível exprimir, a gratidão a todos que contribuíram para este trabalho. Existe sempre o perigo de esquecermos alguém muito importante, mas gostaria de ressaltar alguns:Ao Prof. Alex Antonelli, que mereceria várias páginas de agradecimentos. Foram quase dez anos em que aprendi desde do básico ao estado da arte em Física Computacional. Graças ao seu vasto conhecimento e acessibilidade, tive a oportunidade de explorar os mais diversos fenômenos e pôr as mãos nas mais diversas técnicas. ETERNO AGRADECIMENTO. Aos Profs. Adalberto Fazzio e "Zé" Roque na USP por tantas dicas e ajuda. A Shila, Gustavo e Walter (USP), o Venê (UFF), pelos inúmeros papos e discussões. Ao Prof. Ricardo W. Nunes (UFMG), pela oportunidade única de explorar o fascinante mundo das discordâncias. Ao M. Veríssimo (UFSCar), que dividiu comigo muitas jornadas. Ao Dr. Maurice de Koning, sempre disposto a me socorrer. Da casa, os Profs. Edison Zacarias, Eduardo Miranda e Sílvio Vitiello pelas discussões e é claro ao Prof. Luiz Oliveira que me deu as primeiras aulas tanto na Graduação quanto na Pós, além de auxiliar com a Fundação Oliveira, a qual sou bastante grato. Imenso foi o prazer de ministrar F-129 para turmas de Eng. Elétrica e Computação 2000. Foi bastante divertido ! THANK YOU VERY MUCH INDEED for Prof. Emilio Artacho that welcome me in University of Cambridge and reveal me some secrets about Ab initio simulations. As well, for his group that provides a very exciting environment. Thanks for William and Peter that really make my life easier in Hazelwood Close 96. Marivi, Miguel & Emilio, Yo agradezco mucho su ayuda.Grande é minha dívida junto a FAPESP, que nos apoiou financeiramente durante todo o doutoramento, permitindo usufruir as melhores condições possíveis. Inclusive pela Charlotte, que tanto maltratei brincando com os, não tão bem sucedidos, "experimentos computacionais". Tive também, graças a FAEP-Unicamp, Fundação Miranda, ICTP e o governo italiano, a oportunidade de levar alguns trabalhos aqui contidos,a diversos congressos nacionais e internacionais. Ao CENAPAD-SP e Fundação Luiz Oliveira pelos recursos computacionais.Ao Prof. José Jerônimo de Moraes (UEFS) por me ajudar na escolha e grafia do termo Supra-ordem e ao Prof. Iderval Miranda pela paciência na correção do original.Obviamente existem aqueles que "atuam" nos "bastidores" e que sem os quais nada disso seria possível: PATRICINHA, Painho & Mainha; Matuca & Carol, os quais carrego sempre em meu pensamento.Também a galera da Sala de Estudos do Departamento, que transformam a rotina do diadia em muitas risadas e aprendizado.E decerto agradeço aos (às) inúmeros (as) amigos (as) que tive o enorme prazer de conviver na Unicamp e fora dela. A página termina, mas meu Muito Obrigado não. ✁ Capítulo 2 Métodos da Ciência dos Materiais Computacional" said Wittgenstein: ... Perharps Turing will someday be able to build a mechanical computer that will gladden the heart of a physicist and brig...

show abstract

Section: Introductionunclassified

Da ordem à desordem

Miranda¹

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

Anelastic relaxation behavior and thermal stability of undercooled metallic melts in the amorphousZr65Alx
Weiß
¹
,
Moske
²
,
Samwer
³

1998
Phys. Rev. B

View full text Add to dashboard Cite

Order and Disorder in Semiconductors

Queisser

1995

MRS Proc.

View full text Add to dashboard Cite

The astounding success of microelectronics rests on a simple materials principle : creating a highly purified and perfected , spatially ordered semiconductor matrix , whose electrical and optical properties may be selectively adjusted by local substitutions of host atoms by dopant atoms. This unique materials utilization differs remarkably from all earlier technologies , because the controlled, almost imperceptibly small disorder by doping (rather than the ordered host ) dominates the relevant properties ! Defect control is thus a major concern for semiconductor technology. Homogeneity is an absolute necessity for this strategy, but only a few of the semiconductors can be made so homogeneous as to suppress the strong deleterious effects of inhomogeneity. Recent advances are summarized : atomic resolution of defect analyses, multiatom reactions and hope for applications,contactless measurements, gettering as well as detailed theory of simulations. The emergence of novel quantum devices, with both reduced dimensions and reduced dimensionalities heralds a paradigm change, since the quantizing small geometries exert stronger influences than defects do; nevertheless, materials perfection and interface control remain prerequisites for these structures.

show abstract

Perfecting the Solid State

Cited by 4 publications

References 34 publications

Da ordem à desordem

Da ordem à desordem

Anelastic relaxation behavior and thermal stability of undercooled metallic melts in the amorphousZr65Alx
Weiß
¹
,
Moske
²
,
Samwer
³

1998
Phys. Rev. B

Order and Disorder in Semiconductors

Contact Info

Product

Resources

About

Perfecting the Solid State

Cited by 4 publications

References 34 publications

Da ordem à desordem

Da ordem à desordem

Anelastic relaxation behavior and thermal stability of undercooled metallic melts in the amorphousZr65AlxWeiß1, Moske2, Samwer3 1998Phys. Rev. B

Order and Disorder in Semiconductors

Contact Info

Product

Resources

About

Anelastic relaxation behavior and thermal stability of undercooled metallic melts in the amorphousZr65Alx
Weiß
¹
,
Moske
²
,
Samwer
³

1998
Phys. Rev. B