Peculiarities of influence of radiation defects on photoconductivity of silicon irradiated by fast neutrons

Development of technology for creating high-voltage p0–n0 junctions based on GaAs

“…The analysis of the literature data shows [1,13,[16][17][18][19] that the production of lightly doped GaAs layers and the formation of high-voltage p-n junctions in the process of growth have not been clarified, the nature of residual impurities is not entirely clear, the influence of technological factors on the electrical properties has not been studied, which makes it difficult to create high-voltage switches with subnano-and picosecond speed.…”

“…In addition, this method has the following advantages over gas-transport and molecular epitaxy: simplicity of equipment, higher growth rates, the possibility of reducing the impurity background, etc. The physicochemical foundations of LPE are well described in a number of monographs [16][17][18].…”

Ограничение Точности Измерения Температуры Полупроводниковыми Датчиками В Зависимости От Коэффициента Стабилизации Рабочего Тока

“…В том числе в Узбекистане ведутся работы по разработке термодатчиков в виде кремниевых терморезисторов с компенсированной базовой областью: с применением диффузионной технологии путем легирования примесями переходных металлов (марганец, никель и др.) [6] и путем терморадиационного легирования кремния [7]. Кроме того, на основе интегральных схем на комплементарных транзисторах, состоящих из нескольких десятков транзисторов, предложен ряд термодатчиков, способных осуществлять мониторинг температуры различных объектов [8,9], в частности, выпускающиеся АО «FOTON» микросхемы К1019ЕМ1, представляющие собой термочувствительный элемент с линейной зависимостью выходного напряжения от температуры и содержащие 28 интегральных элементов.…”