Abstract:jest opracowanie nowego typu tranzystora mikrofalowego na pasmo S z wykorzystaniem struktur AlGaN/GaN hodowanych na podłożach z półizolacyjnego monokrystalicznego GaN wytwarzanych metodą ammonotermalną (Ammono). Referat stanowi krótkie podsumowanie pierwszego etapu projektu w formie zestawienia parametrów elektrycznych struktur GaN PolHEMT i komercyjnych tranzystorów GaN HEMT produkowanych przez wiodące firmy.
Set email alert for when this publication receives citations?
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.