Origem e estabilidade de nanoestruturas de InAs sobre ligas de InP e InGaAs

Abstract

A minha Orientadora de Doutorado, professora Mônica Alonso Cotta, pela tolerância, compreensão e amizade, pelos seus conselhos e pela paciência.Ao professor Mauro M. G de Carvalho, pelo apoio no Laboratório CBE.Ao meu amigo Humberto pela oportunidade, a liberdade, o exemplo e sinceridade.Ao meu amigo Klaus, pela ajuda, em qualquer instante, e por os altos papos.Ao meu amigo Zé Roberto, pela ajuda e pelo apoio.Ao pessoal do laboratório João Hermes, Alberto, Guilherme e Thalita pelo companheirismo e convivência agradável.À Márcia pela eficiência e por sua simpatia sem fim.Ao pessoal do DFA, Totó, Rosa e Hélio pela ajuda e pela fraternidade; À CNPq pelo apoio financeiro nos primeiros quatro anos.À UNICAMP e ao Instituto de Física "Gleb Wataghin" pela oportunidade.A minha sofrida pátria pela essência.À minha família pelo carinho incondicional, pela distância e o tempo.À David pelo apoio e compreensão nos momentos mais difíceis, pela motivação e carinho durante todo o tempo e por inúmeros momentos de alegria durante esta jornada.A todos àqueles que aqui não estão citados, mas de uma forma ou outra foram importantes, durante este tempo e que contribuíram também ao feliz termino deste doutorado.A mi papá, a quién amo y respeto profundamente, por su apoyo y comprensión de toda una vida; por su ejemplo, sus convicciones y por ser un padre como pocos. -Te extraño mucho papi! Finalmente, quiero agradecer a mi mamá, a quién también tengo dedicado esta tese, por darme la vida, por su amor verdadero, incondicional y eterno; porque se estuviese entre nosotros ahora seria la madre más feliz del mundo y porque yo se que aún puedo contar con ella. -Mami, yo te amo! Índice CAPÍTULO PÁGINA 1. Introdução Geral 1.1. Semicondutores. 1.2. Crescimento Epitaxial 1.3. Auto-formação de Nanoestruturas em Sistemas Tensionados 1.4. Objetivos da Tese 1.5. Referências 2. Metodologia experimental: técnicas de crescimento e caracterização 2.1. Introdução 2.2. Crescimentos e tipos de substratos 2.2.1. Epitaxia por feixe químico 2.2.2. Substratos utilizados 2.3. Difração de elétrons de alta energia 2.4. Microscopia de força atômica 2.5. Microscopia eletrônica de transmissão 2.5.1. Preparação de amostras para TEM 2.6. Difração de raios X convencional 2.7. Difração de raios X com incidência rasante (LNLS) 2.8. Referências 3. Resultados experimentais para o InAs/InP 3.1. Introdução 3.2. Influência do Substrato 3.3. Influência das Condições de Crescimento 3.4. Nanofios de InAs/InP 3.5. Pontos quânticos de InAs/InP 3.6 Conclusões do capítulo 3.7. Referências 4. Resultados experimentais para o InAs/InGaAs/InP 4.1. Introdução 4.2. Condições de Crescimento do InGaAs/InP 4.3. Nanofios de InAs/InGaAs/InP 4.4. Conclusões do capítulo 4.5. Referências