Optimization of the performances of MESFET based microwave amplifiers using Plackett-Burman design of experiment

Mejoras del proceso de diseño en la industria de transistores de microondas

“…En frecuencias en el orden de los GHz y con potencia de varios Watts, deben considerarse los efectos de interferencia electromagnética de las inductancias mutuas de los wire-bonds. Para solucionar esto se realizó una prueba de diseño de experimento (DOE) extendido basado en [6] y [7], con el objetivo de probar el funcionamiento RF con diferentes alturas de bucle para los hilos de salida. En la Figura 1 se muestran las etiquetas G1, D2 y D1, que forman parte de la red de preadaptación, tanto en la puerta como en el lado del drenador.…”

“…Al ser un problema de optimización multidimensional, es necesario hacer una actividad exploratoria en varias dimensiones, denominada diseño de experimento (DOE).Los experimentos terminan cuando no sea posible obtener mejoras significativas variando los parámetros en todas sus dimensiones. En[6] y[7] se usó el método de Plackett-Burman para hacer un análisis de regresión lineal para evitar el uso de circuitos eléctricos equivalentes. En[6] se lograron ajustar cinco parámetros.…”

“…En[6] y[7] se usó el método de Plackett-Burman para hacer un análisis de regresión lineal para evitar el uso de circuitos eléctricos equivalentes. En[6] se lograron ajustar cinco parámetros. En el presente estudio se lograron ajustar siete parámetros: cuatro de los cuales representan diferentes niveles de metalización del die; mientras que los otros tres representan diferentes alturas de los hilos de salida (output wire-bonds).En este artículo se parte de la hipótesis de que mediante el uso de un Design of Experiment (DOE) extendido, en combinación con un modelo electrotérmico mejorado con la técnica de voltajes efectivos, se podrá construir eficientemente amplificadores de potencia de RF en el rango de microondas, para reducir tiempos de diseño y costos en el proceso de fabricación, y garantizar su funcionamiento en una zona segura, extendiendo su confiabilidad.En la segunda sección, de materiales y metodología, se detalla la estructura interna del dispositivo bajo prueba RFIC.…”