Optimization of size uniformity and dot density of InxGa1−xAs/GaAs quantum dots for laser applications in 1 µm wavelength range

Исследование фотолюминесценции в системе InGaAs/GaAs с квантовыми точками спектрального диапазона 1100 нм

“…Первый из подходов по снижению неоднородного уширения состоит в использовании субмонослойной миграционно-стимулированной эпитаксии (субмонослойного осаждения), основанной на формировании чередующихся субмонослойных слоев InAs/ (In)GaAs [11][12][13]19,20]. Из недостатков подхода стоит отметить сложность контроля состава КТ в силу инерционности переключения заслонок материалов в установках молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ).…”

Investigation of photoluminescence in the InGaAs/GaAs system with 1100-nm range quantum dots

“…The first of the approaches to reduce inhomogeneous linewidth broadening is to use submonolayer migration-stimulated epitaxy (submonolayer deposition) based on the formation of alternating submonolayer layers InAs/(In)GaAs [11][12][13]19,20].…”