Optical Characteristics of Multi-Stacked InAs/InAlGaAs Quantum Dots

Abstract

자발형성법으로 InP (001) 기판에 성장한 InAs/InAlGaAs 양자점(QDs, quantum dots)의 광학적 특성을 PL (photoluminescence)과 TRPL (time-resolved PL)을 이용하여 분석하였다. InAs 양자점 시료는 single layer InAs/InAlGaAs QDs (QD1) 과 7-stacked InAs/InAlGaAs QDs (QD2)를 사용하였다. 저온(10 K