Optical and electrical properties of GaN: Si-based microstructures with a wide range of doping levels

The anti-surfactant effect of silane on the facets-controlled growth of GaN nanorods by MOCVD

“…Actually, it's hard to replace the Ga atom within the crystal for Si, even the Si/Ga reach to 0.6 when the silane flux is 40 sccm. Agekyan et al reported that the typical concentration of Si incorporated into gallium nitride was about 10 19 cm À3 ) [22], and the concentrations just increase slightly as the silane flux increase heavily, as shown in Fig. 4a.…”

Interaction of surface plasmon polaritons in heavily doped GaN microstructures with terahertz radiation

“…In gallium nitride at such high doping levels, an impurity band is formed which overlaps with the conduction band. 27,28 This provides the constant free electron concentration in a wide temperature range from 4.2 to 300 K and higher.…”

Оптические Свойства Объемных Монокристаллов Нитрида Галлия, Выращенных Методом Хлорид-Гидридной Газофазной Эпитаксии

“…Ушире-ние экситонного спектра отражения от этой области кристалла не сопровождается энергетическим сдвигом, и можно сделать вывод, что уширение экситонных резонансов определяется высокой концентрацией дефек-тов, а не механическими напряжениями. Отметим, что подобное уширение экситонной структуры наблюдалось в спектрах отражения эпитаксиальных слоев GaN с концентрацией кремния, превышающей 10 18 cm −3 [4]. 3.2.…”

“…Для сравнения на рис. 5 приведены спектры люминесцен-ции слоев GaN толщиной 4 µm, выращенных методом хлорид-гидридной эпитаксии c диапазоном концентра-ции донорной примеси кремния 10 16 −10 19 cm −3 [4]. Спектр излучения поверхности образца в точке 2 содержит полосы бесфононного излучения свободных экситонов, экситонов, связанных на нейтральных доно-рах и акцепторах, а также их фононные реплики, соот-ветствующие рождению до пяти продольных оптических (LO)-фононов решетки GaN с энергией 91 meV (принад-лежность отдельных фононных реплик к различным ме-ханизмам излучения указана на рис.…”

“…Спектры люминесценции от нижней плоскости об-разца, контактировавшей с подложкой, и спектры от поверхности инверсных гексагональных пирамид (точ-ки 3 и 5) также уширены, отдельные компоненты бес-фононного излучения свободных и связанных экситонов в них не разрешаются. Для спектра в точке 5 харак-терно сильное расширение в область высоких энергий, что, как показано в работе [4], является особенностью спектра кристаллов GaN с концентрацией кремния на уровне 10 19 cm −3 (рис. 5).…”