A model of disordered non-degenerate semiconductors is investigated in which the bands are randomly undulated. A compact formula is derived for the averaged canonical density matrix of the conduction electrons in the presence of il magnetic field. A generalization of the formula of Sondheimer and Wilson is thus achieved. The magnetic susceptibility due to the conduction electrons is calculated. The enhancement of the diamagnetism with increasing disorder is discussed and interpreted as a consequence of the increase in the average density of the conduction electrons. Es wird ein Model1 ungeordneter, nichtentarteter Halbleiter untersucht, in dem die Energiebander zuflllig oszillieren. Ein kompakter Ausdruck fur den mittleren Wert der kanonischen Dichtematrix der Leitungselektronen im magnetischen Feld wird abgeleitet. Damit kommt man zu einer Verallgemeinerung der Formel von Sondheimer und Wilson. Der Beitrag zur magnetischen Suszeptibilitat, den die Leitungselektronen liefern, wird berechnet. Die Erhohung des Diamagnetismus bei groBerer Unordnung wird als Konsequenz der wachsenden mittleren Leitungselektronendichte interpretiert. 816 31 Bratislava, Czechoslovakia. 2, 040 00 Kogice, Czechoslovakia. 37 physiea (b) 76/2