1997
DOI: 10.1088/0953-8984/9/12/001
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

On some physical properties of InSe and GaSe semiconducting crystals intercalated by ferroelectrics

Abstract: Physical mechanisms of intercalation of semiconductors are determined, establishing the main laws of intercalation, and the physical nature of new phenomena and effects induced by intercalation are explained; general statements for obtaining intercalates with characteristics assigned in advance are also developed.

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
1
1
1
1

Citation Types

0
8
0
2

Year Published

2000
2000
2015
2015

Publication Types

Select...
8

Relationship

0
8

Authors

Journals

citations
Cited by 17 publications
(10 citation statements)
references
References 0 publications
0
8
0
2
Order By: Relevance
“…It is seen that the effective dielectric constant of the nanocomposites is higher than the dielectric constant of GaSe. Such behavior was observed for the nanocomposites based on the InSe and GaSe layered crystals and ionic salts (NaNO 2 , KNO 2 , KNO 3 ) [14]. The dielectric constant of GaSe varies only slightly in the investigated temperature range [32].…”
Section: Complex Impedance Spectroscopic Studiesmentioning
confidence: 53%
See 1 more Smart Citation
“…It is seen that the effective dielectric constant of the nanocomposites is higher than the dielectric constant of GaSe. Such behavior was observed for the nanocomposites based on the InSe and GaSe layered crystals and ionic salts (NaNO 2 , KNO 2 , KNO 3 ) [14]. The dielectric constant of GaSe varies only slightly in the investigated temperature range [32].…”
Section: Complex Impedance Spectroscopic Studiesmentioning
confidence: 53%
“…This allows the formation of nanocomposite structures based on ionic salts and oxides with various morphologies on such surfaces. The possibility of inserting ionic salts (NaNO 2 , KNO 2 and KNO 3 ) from the melt between layers of the layered crystals InSe and GaSe was established earlier [14,15].…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%
“…На його першій стадії у вихідні кристали впроваджується нітрит натрію NaNO 2 методом прямого експонування в його розплаві напівпровідникових при температурі 300 °С та тривалості експозиції 5÷20 хвилин в залежності від потрібного ступеня розширення кристалічної гратки. В результаті n-cтадійного упорядкування [24] відстань між окремими (рис. 1) шарами зростає в декілька разів.…”
Section: технологічні аспекти експериментів і методи досліджень монокunclassified
“…На першій стадії у вихідну матрицю впроваджується нітрит натрію методом прямого експонування в його розплаві напівпровідникового монокристалу при температурі 300 0 С впродовж 5÷20 хвилин. В результаті n-cтадійного упорядкування [8,9] відстань між відповідними шарами суттєво зростає.…”
Section: рис 1 кулько-стрижнева модель L-аспарагінової кислотиunclassified