Obtaining of epitaxial films of metal silicides by ion implantation and molecular beam epitaxy

Umirzakov, B. E.; Tashmukhamedova, D. A.; Boltaev, E.U.; Dzhurakhalov, A.A.

doi:10.1016/s0921-5107(02)00677-3

Cited by 23 publications

(9 citation statements)

References 4 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…[27][28][29] As a next step toward forming a BaSi 2 homojunction diode on a Si substrate, we need to investigate the electrical properties of an undoped n-type BaSi 2 film, which is to be an active layer in a solar cell. Due to the small electron affinity of BaSi 2 (3.2 eV), band offsets exist at the BaSi 2 /Si interface, 30,31 that is, 0.8 eV for the conduction band, and 0.6 eV for the valence band. These values are predicted from the electron affinities of BaSi 2 and Si.…”

mentioning

confidence: 99%

Analysis of the electrical properties of Cr/n-BaSi2 Schottky junction and n-BaSi2/p-Si heterojunction diodes for solar cell applications

Baba

Toko

et al. 2014

Journal of Applied Physics

View full text Add to dashboard Cite

Current status and future prospects towards BaSi 2 pn junction solar cells are presented. As a preliminary step toward the formation of BaSi 2 homojunction diodes, diodes with a Cr/n-BaSi 2 Schottky junction and an n-BaSi 2 /p-Si hetero-junction have been fabricated to investigate the electrical properties of the n-BaSi 2 . Clear rectifying properties were observed in the current density versus voltage characteristics in both diodes. From the capacitance-voltage measurements, the build-in potential, V D , was 0.53 V in the Cr/n-BaSi 2 Schottky junction diode, and the Schottky barrier height was 0.73 eV calculated from the thermoionic emission theory; the V D was about 1.5 V in the n-BaSi 2 /p-Si hetero-junction diode, which was consistent with the difference in the Fermi level between the n-BaSi 2 and the p-Si. V C 2014 AIP Publishing LLC.

show abstract

mentioning

confidence: 99%

Analysis of the electrical properties of Cr/n-BaSi2 Schottky junction and n-BaSi2/p-Si heterojunction diodes for solar cell applications

Baba

Toko

et al. 2014

Journal of Applied Physics

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…В последние годы метод ионной имплантации широко используется для контролируемого изменения физических свойств полупроводников. В частности, методом ионной имплантации в Si получены наноразмерные фазы и слои силицидов Ba, Co, Ni, Na, Rb, изучены их состав, электронная структура и свойства, а также определены размеры силицидных фаз, при которых проявляются квантово-размерные эффекты [17][18][19][20][21][22][23]. В случае Ge высокоэнергетические (E 0 = 80 keV) высокодозные (D = 10 16 cm −2 ) имплантации ионов Sb, P и As использовались для модификации зонной структуры Ge [24][25][26][27].…”

Section: Introductionunclassified

Влияние осаждения атомов Ba и имплантации ионов Ba-=SUP=-+-=/SUP=- на электронную структуру монокристаллического Ge

Ташмухамедова¹,

Умирзаков²,

Эргашов³

et al. 2022

Журнал Технической Физики

View full text Add to dashboard Cite

The effect of the adsorption of Ba atoms with a thickness of  ≤ 3 - 4 monolayers and the implantation of Ba+ ions with an energy of E0 = 0.5 - 2 keV on the density of states of electrons in the valence band, the parameters of the energy bands, and the emission and optical properties of Ge (111) has been studied for the first time. It is shown that during the adsorption of Ba atoms with  = 1 monolayer, the value of the thermoelectric work function  decreases by  1.9 eV, and the value of the secondary electron emission coefficient квантовm and the quantum yield of photoelectrons Y increases by 1.5 - 2 times. In the case of implantation of Ba+ ions with E0 = 0.5 keV at an irradiation dose D = 61016 cm-2, the density of state of valence electrons and the parameters of the energy bands change sharply; the quantum yield of photoelectrons increases by a factor of 2 or more. The observed changes are explained by the formation on the surface of a thin ( 25 - 30 Å) amorphous doped layer consisting of nanoscale phases of the Ba - Ge type ( 60 - 65 at.%) And excess (unbound) Ba and Ge atoms. In this case, the band gap Eg decreases by  0.3 eV.

show abstract

“…В частности, в работе [11] показано, что возникающий в результате химического взаимодействия Pd с Si при 100 • С слой дефектов с глубокими уровнями простирается на глубину 1 мкм. В работах [13][14][15][16] изучено влияние низкоэнергетической ионной имплантации на кристаллическую и электронную структуры монокристаллов Si, GaAs и CaF 2 . Показано, что при этом происходит разупорядочение приповерхностных слоев, формирование различных дефектов вплоть до полного разупорядочения приповерхностных слоев этих монокристаллов.…”

Section: Introductionunclassified

Влияние разупорядочения тонких поверхностных слоев на электронные и оптические свойства Si (111)

Umirzakov¹,

Tashmukhamedova²,

Tashatov³

et al. 2020

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

Впервые изучены степень разупорядочения, толщина разупорядоченных слоев d и их влияние на ширину запрещенной зоны Eg монокристаллического Si (111) при бомбардировке ионами Ar+. Показано, что значение d при энергиях ионов E0=1 и 2 кэВ составляет ~(100-120) и ~(150-160) Angstrem соответственно. При этом плотность состояний электронов валентной зоны Si (111) существенно изменяется, уменьшается коэффициент пропускания света до K= 55-60%, а значение Eg увеличивается на ~10%. При бомбардировке ионами Ni+ разупорядочение поверхности сопровождается резким изменением состава поверхностных слоев и вследствие этого K уменьшается до 5-10%. После прогрева при T=900 K формируются нанокристаллы (при дозах D≤1015 см-2) и нанопленки NiSi2 (D=6·1016 см-2). Ключевые слова: ионная бомбардировка Si, электронные свойства, оптические свойства, тонкие слои, отжиг.

show abstract

Obtaining of epitaxial films of metal silicides by ion implantation and molecular beam epitaxy

Cited by 23 publications

References 4 publications

Analysis of the electrical properties of Cr/n-BaSi2 Schottky junction and n-BaSi2/p-Si heterojunction diodes for solar cell applications

Analysis of the electrical properties of Cr/n-BaSi2 Schottky junction and n-BaSi2/p-Si heterojunction diodes for solar cell applications

Влияние осаждения атомов Ba и имплантации ионов Ba-=SUP=-+-=/SUP=- на электронную структуру монокристаллического Ge

Влияние разупорядочения тонких поверхностных слоев на электронные и оптические свойства Si (111)

Contact Info

Product

Resources

About