Nova Rota De Sinterização Do Carbeto De Silício Em Atmosfera Oxidante

Abstract

Para sinterizar eficientemente o SiC, é necessário seguir condições específicas, como compactação em pó, uso de prensa hidráulica e ocorrer em temperaturas controladas entre 1900°C e 2200°C com atmosfera inerte. Porém, com os altos custos e a complexidade dos fornos, o processo se torna inviável. O projeto atual foca na viabilidade de pré-sinterizações de 400°C até 1400°C, com degrau de 200°C, em atmosfera oxidante de composições de SiC puro, do SiC − Al2O3, do SiC − Y2O3 e do SiC − Al2O3 − Y2O3; Examinar as estruturas, as transformações de fases e a perda de massa das composições; Investigar o encapsulamento das amostras utilizando uma fonte de carbono (SiC ou grafite), em atmosfera oxidante e inerte; Comparar a nova rota de processamento com a rota convencional. Foram realizadas análises térmicas (TG) até 1600ºC, em atmosfera de argônio e MEV E DRX dos pós como recebidos. O SiC apresenta um ganho de massa pouco expressiva a aproximadamente 900ºC. O SiC com adição de Al2O3 e Y2O3 também apresenta um ganho pouco expressiva, o que poderá indicar uma provável oxidação do SiC segundo a literura.