Nova Rota De Sinterização Do Carbeto De Silício Em Atmosfera Oxidante

Abstract

ResumoA perda de massa causa baixa densidade do SiC sinterizado via fase líquida, comprometendo suas propriedades termo-mecânicas. O objetivo deste trabalho foi desenvolver uma nova rota de sinterização do carbeto de silício (SiC). Tendo como objetivos específicos: Estudar o comportamento do SiC com o Al2O3 e Y2O3; Examinar as estruturas, a/as transformações de fases e a perda de massa das composições do SiC puro, do SiC − Al2O3, do SiC − Y2O3 e do SiC − Al2O3 − Y2O3, em temperaturas crescentes (500 até 1400 °C); investigar o encapsulamento das amostras utilizando uma fonte de carbono (SiC ou grafite), em atmosfera oxidante e inerte; Comparar a nova rota de processamento com a rota convencional (altas temperaturas e atmosfera inerte). Foram realizadas análises térmicas (TG) até 1600ºC, em atmosfera de argônio e MEV E DRX dos pós como recebidos. O SiC apresenta um ganho de massa pouco expressiva a aproximadamente 900ºC. O SiC com adição de Al2O3 e Y2O3 também apresenta um ganho pouco expressiva, o que poderá indicar uma provável oxidação do SiC segundo a literura.