New CMOS process using a thermal-oxide mask for making n −- and p −-Wells

Snitovsky, Yu. P.; Krasikov, M. G.

doi:10.1134/s1063739708030049

Cited by 1 publication

(3 citation statements)

References 1 publication

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Физико-математическое моделирование распределения напряжений в структуре Si 3 N 4 -SiO 2 -Si, полученной по стандартной технологии [46], представлено на рис. 7, 8, а распределение напряжений в структуре SiO 2 -Si, полученной по новой технологии [46], представлено на рис. 9.…”

Section: особенности метода внутреннего формирования структур в биполunclassified

“…Таблица 2 -Влияние толщины маски на процент выхода годных на блоке охраны КМОП ИС в зависимости от величины среднего проективного пробега ионов по отношению к толщине маски Рисунок 7 -Распределение остаточных напряжений в структуре Si3N4-SiO2-Si: (а) -часть структуры вблизи края Si3N4; (б) -распределение напряжений в слоях Si3N4, SiO2 и Si [46].…”

Section: особенности метода внутреннего формирования структур в биполunclassified

“…Рисунок 8 -Распределение остаточных напряжений в структуре Si3N4-SiO2-Si: (а) -часть структуры на краю Si3N4; (б) -распределение напряжений в слоях Si3N4, SiO2 и Si [46].…”

Section: особенности метода внутреннего формирования структур в биполunclassified

See 2 more Smart Citations

Peculiarities of the method in internal formation of structures in bipolar and CMOS technologies

et al. 2019

View full text Add to dashboard Cite

The possibility of creating silicon bipolar high-power microwave transistors by the method of ion doping of monosilicon with B + ions through a layer of SiO2 and emitter windows in it with the subsequent introduction of P + ions into them and annealing in argon is shown. The developed process reduces the labor intensity of manufacturing and improves the frequency and power characteristics of transistors: increasing the cut-off frequency (collector current = 1.5 A) from 1.8 to 2.1 GHz and from 1.5 to 1.9 GHz (collector current = 2,8 A), output power from 20 to 21.3 W, power gain from 2.5 to 2.7, collector efficiency from 60 to 79.8 %. The formation of pockets of n- and p- type CMOS structures was considered using a mask of thermal SiO2 without a layer of Si3N4. The developed process reduces the labor intensity of manufacturing by ~ 21.5 % and increases the yield of CMOS microcircuit structures by ~ 4.5 %, thanks to a decrease in the residual stresses in monosilicon and the improvement of pocket doping methods.

show abstract

Section: особенности метода внутреннего формирования структур в биполunclassified