Negative differential resistances in ferromagnetic semiconductor CdCr2Se4 single crystals

Abstract

Both, N-shaped NDR (negative differential resistance) and S-shaped NDR in the ferromagnetic semiconductor CdCr,Se, are studied. The peak field of N-shaped NDR decreases with the decrease in the environment temperature or with the increase in the applied magnetic field. The peak current density of S-shaped NDR decreases with the decrease in the environment temperature but is not affected by the magnetic field. The behaviour of both NDR's can be explained by the change of the conductivity due to the Joule heat generated in specimens.Es werden sowohl N-Typ-NDR (negativer differentieller Widerstand) und S-Typ-NDR des ferromagnetischen Halblejters CdCr,Se, untersucht. Das Spitzenfeld von N-Typ-NDR nimmt mit der Abnahme der Umgebungstemperatur oder mit der Zunahme des angelegten Magnetfeldes ab. Die Spitzenstromdichte des S-Typ-NDR nimmt mit der Umgebungstemperatur ab. Sie wird jedoch vom Magnetfeld nicht beeinflu&. Das Verhalten dieser beiden NDR kann durch h d e r u n g der Leitfihigkeit durch in der Probe eneugte Joulesche Wirme erkliirt werden.