Near-threshold excitation of the λ132.2 nm resonance line of the Tl⁺ ion by electron impact

Abstract

Cпектроскопічним методом в умовах пучків моноенергетичних електронів й іонів, що перетинаються під кутом 90 о , досліджено припорогову ділянку енергетичної залежності ефективного перерізу електронного збудження резонансної лінії 132,2 нм іона Tl +. Встановлено, що виявлені допорогові максимуми є результатом резонасного захоплення іоном електрона, що налітає, збудження системи "електрон+іон Tl + " в 5d 10 6s6p(1 P o 1)np автоіонізаційні стани та їх радіаційного розпаду на збуджені 5d 10 6s 2 np стани атома Tl, тобто є діелектронними сателітами резонансної лінії. Абсолютні величини перерізів збудження діелектронних сателітів складають (11,5)x10-16 см 2 і є одного порядку величини з ефективними перерізами збудження резонансної лінії іона Tl +. Ключові слова: іон, електрон, діелектронна рекомбінація, талій. significant increase of the AIS radiation decay probability.