“…Segundo a literatura o arco capacitivo é atribuído ao filme passivo de óxido de alumínio existente nas interfaces solução/óxido (BESSONE et al, 1983) ou metal/óxido (de WIT e LENDERINK, 1995), entretanto as justificativas para o arco indutivo, em baixas frequências são controversas. Na literatura são encontradas diferentes explicações para justificar esse comportamento (ARMSTRONG e EDMONDSON, 1973;AOKI et al, 2001, BECHET et al,1977BESSONE et al, 1983BESSONE et al, e 1992CABOT et al, 1995;DAWSON e FERREIRA, 1986;de SOUZA et al, 2011;- EPELBOIN et al, 1975;FERNANDES, 2000;FRANCESCHETTI e MacDONALD, 1977;OKEOMA et al, 2014, SAYED et al, 2002WANG et al, 2009 Nota-se que os ângulos de fase são próximos a -90° em frequências intermediárias indicando o alto comportamento capacitivo da camada passiva de óxido de alumínio.…”