2021
DOI: 10.15407/spqeo24.04.355
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Nanostructured SiC as a promising material for the cold electron emitters

Abstract: In this paper, the novel cold electron emitters based on nanostructured SiC layers covering the Si(001) substrate have been proposed. Their main advantage is an extremely simple and cost-effective manufacturing process based on the standard microelectronics-grade silicon wafers with no ultra-high vacuum required and no complicated chemical deposition processes or toxic chemicals involved. It integrates within a single technological step both the SiC growth and nanostructuring the surface in the form of nanosiz… Show more

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
1
1
1

Citation Types

0
0
0
2

Year Published

2022
2022
2024
2024

Publication Types

Select...
3

Relationship

1
2

Authors

Journals

citations
Cited by 3 publications
(3 citation statements)
references
References 15 publications
0
0
0
2
Order By: Relevance
“…Тому для емісії з наноаркушу напівпровідника ZnO скористаємося з модифікації формули, виведеної в [10] для випадку, зображеного на рис. 2: різкий вигин зон у матеріалі n-типу під впливом прикладеного зовнішнього поля утворює приповерхневу 2D квантову яму, у якій зосереджені електрони:…”
Section: рис 1 структура емісійної поверхні катоду з наноаркушів Zno ...unclassified
“…Тому для емісії з наноаркушу напівпровідника ZnO скористаємося з модифікації формули, виведеної в [10] для випадку, зображеного на рис. 2: різкий вигин зон у матеріалі n-типу під впливом прикладеного зовнішнього поля утворює приповерхневу 2D квантову яму, у якій зосереджені електрони:…”
Section: рис 1 структура емісійної поверхні катоду з наноаркушів Zno ...unclassified
“…From the same viewpoint, we may expect the appearance of effective devices based on silicon carbide 𝛽-SiC (𝐸 𝑔 = 2.5 eV, 𝑋 𝑜 = 2 eV). The creation of promising cathodes on its basis for the field emission has already been reported [33].…”
Section: Theoretical Model To Describe the Reduction Of Work Function...mentioning
confidence: 99%
“…Останній доданок у правій частині (10) легко оцінити з формули плоского конденсатора: ) ), для якого вже повідомлено про створення перспективних катодів для польової емісії [7].…”
Section: рис 2 виникнення від'ємної спорідненості х unclassified