N-Tipi SnS2 Yarıiletken İnce Filmlerin Hazırlanması ve Karakterizasyonu

Abstract

SnS2 yarıiletken ince filmleri, kimyasal depolama yöntemi (KDY) kullanılarak 50-80 o C ' de cam alttabanlar üzerine elde edildi. X-ışını kırınım spektrumu filmlerin amorf yapıda olduklarını göstermiştir. SnS2 filmlerin optik özelliklerini belirlemek için UV-vis spektrofotometresi kullanılmıştır. Filmlerin oda sıcaklığındaki optik geçirgenlik (%T) ve optik soğurma (A) değerleri 400-1100 nm dalga boyu aralığında belirlenmiştir. Elde edilen veriler ile filmlerin optik parametreleri olan soğurma katsayısı (α), kırılma indisi (n), sönüm katsayısı (k), reel, imajiner dielektrik sabitleri (Ԑ1, Ԑ2) ve enerji bant aralığı (Eg) değerleri hesaplandı. Hall etkisi ölçümlerinden SnS2 filmleri n-tipi iletkenliğe sahip olduğu bulunmuştur.