“…如前所述, 晶体生长过程中, 生长基元的 过饱和度会随着纳米晶的生长逐步下降, 在反应之初, 过饱和度比较高, 因此产物也有可能暴露高表面能晶 面. 在合成MOF-5过程中, 王训课题组 [48] 就可调节过饱和度 [22] ; 在贵金属纳米晶的合成过程中, 生长基元为金属原子, 因此提高金属前驱体的还原速 度是提高过饱和度的关键, 在合成过程中可以通过提 高反应温度、增大反应物的浓度、使用强的还原剂 等方式来实现 [22,40] ; 在氧化物纳米晶的生长过程中, 由 于其金属-氧化学键以及晶体结构的多样性, 使得如 何提高其生长基元的过饱和度成为难点, 目前较为有 效的方法是通过调节体系的溶剂(良溶剂与不良溶剂 的选择)等 [23,24] ; 类似的, 在生长MOFs过程中, 通过溶 剂、额外添加剂的选择, 或提高有机配体的浓度, 都 可以一定程度上促进生长基元过饱和度的提高, 进而 得到具有高表面能晶体裸露的晶体 [45,47,48] . 值得注意 的是, 体系的过饱和度不能够一直地提高, 当生长基 元过饱和度达到或超过临界成核浓度时, 二次成核现 象将发生.…”