Professor Egon Fangha Ènel zum 65. Geburtstag gewidmet Inhaltsu È bersicht. Dimethylaluminium-(1) und Dimethylgallium-o-methoxyphenyl-1-ethoxid (2) wurden durch Umsetzung von Me 3 Al bzw. Me 3 Ga mit o-Methoxyphenyl-1-ethanol in n-Pentan erhalten, wogegen Dimethylaluminium-(3) und Dimethylgallium-o-methoxyphenyl-2-ethylamid (4) mittels Reaktion von Me 2 AlCl bzw. Me 2 GaCl mit Lithiumo-methoxyphenyl-2-ethylamid dargestellt wurden. Trimethylgallium-o-methoxyphenylmethylamin-Addukt (5) bildet sich bei der Umsetzung von Me 3 Ga mit dem entsprechenden Amin. Die Verbindungen wurden durch 1 H-, 13 C-, 27 Al-NMR-Spektroskopie sowie 2 und 5 durch Kristallstrukturanalyse charakterisiert. 1±4 liegen als sauerstoff-bzw. stickstoffverbru È ckte dimere Moleku È le vor. Die Bindungsla È ngen im zentralen Ga 2 O 2 -Ring in 2 entsprechen denen anderer a È hnlich aufgebauter Verbindungen.Abstract. Dimethylaluminium-(1) and Dimethylgallium-omethoxyphenyl-1-ethoxide (2) were obtained by reaction of Me 3 Al and Me 3 Ga respectively with o-Methoxyphenyl-1ethanol in n-pentane. Dimethylaluminium-(3) and dimethylgallium-o-methoxyphenyl-2-ethylamide (4) were prepared by treatment of Me 2 AlCl and Me 2 GaCl respectively with Lithium-o-methoxyphenyl-2-ethylamide. Trimethylgallium-omethoxyphenylmethylamine-Adduct (5) was isolated using reaction of Me 3 Ga with the corresponding amine. The com-pounds were characterised by 1 H-, 13 C-, and 27 Al n.m.r. spectroscopy. The molecular structures of 2 and 5 were determined by X-ray diffraction. Compounds 1±4 form brigded dimeric molecules. The bond distances of the central Ga 2 O 2 ring in 2 correspond to those of compounds of similar structure.