Monolithic GaAs p-i-n diode switch circuits for high-power millimeter-wave applications

Analysis of the microwave loss in AlGaAs/GaAs heterostructure pin-diodes

“…The dependence of the diode characteristics on the parameters of the epitaxial structure was considered in [3][4][5][6][7]. In these experimental works, the researchers mainly found the dependence of the diode parameters on the lifetime of nonequilibrium charge carriers in the i-region because this parameter can be easily monitored and measured [8].…”

GaAs MMIC PIN Diodes SPDT Switcher

“…В зарубежной литературе имеется ряд публикаций по разработке GaAs pin диодных МИС [см., напр., 1-3], где отмечается их широкополосность и низкий ток управления. Дополнительный интерес к GaAs pin диодным МИС появился с развитием телекоммуникационного рынка в мм-диапазоне длин волн [4,5], что обусловлено высоким показателем коммутационного качества [6] одиночного pin диодного элемента.…”

Epitaxial VO2thin-film-based radio-frequency switches with electrical activation

“…The high-quality epitaxial VO 2 thin film was employed to fabricate simple singlepole single-throw (SPST)-type switches. Typical RF switches employ a micro-electro-mechanical system (MEMS), [16][17][18][19][20] p-i-n junction diodes, 21,22) and field-effect transistor (FET) 23,24) structures. Compared with these conventional RF switching devices, employing VO 2 can achieve much simpler device dimensions and geometry, without sacrificing device performance.…”