Molecular Liquid Model and Electronic Structure of Amorphous Silicon and Germanium

Abstract

The atomic and electronic structure of amorphous Si and Ge are investigated by the molecular liquid model (MLM). The theoretJical structure factor is calculated using three simple parameters -nearest neighbor distance, packing density, and coordination number. The electronic density of states obtained with the MLM structure factor, and nonlocal energy dependent pseudopotential in second order perturbation theory, show good agreement with experimental and other theoretical results.Die atomare und elektronische Struktur von amorphem Si und Ge wird mit dem Molekulflussig keitsmodell (MLM) untersucht. Der theoretische Strukturfaktor wird mit drei einfachen Parametern -den1 Abstand nachster Nachbarn, der Packungsdichte und der Koordinationszahlberechnet. Die mit dem MLM-Strukturfaktor erhaltene elektrische Zustandsdichte und das mi6 Storungsrechnung zweiter Ordnung bestimmte nichtlokale energieabhangige Pseudopotential zeigen gute ubereinstimmung mit experimentellen und anderen theoretischen Ergebnissen.