Molecular effect on surface topography of GaN bombarded with PF4 ions

Effects of the deep ion-induced modification of highly oriented pyrolytic graphite

“…The range of applica tion for ion-electron emission monitoring similar to the technique used in this work is therefore not lim ited to carbon materials. It may be used to reveal and characterize deep modification effects that are observed not only in HOPG, but also in the ever growing number of new materials [26][27][28]. …”

Накопление структурных нарушений при облучении α-Ga-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-3-=/SUB=- ионами P и PF-=SUB=-4-=/SUB=-

“…Ионы, тормозящиеся в мишени, сталкиваются с атомами в решетке, что приводит к " выбиванию" их из регулярных положений, и образуются так называемые каскады смещений (или каскады столкновений, collision cascade), состоящие из вакансий и межузельных атомов. Экспериментально показано, что плотность каскадов смещений существенным образом влияет на результирующие радиационные повреждения в Si [9][10][11], SiC [12], ZnO [13], GaN [14,15], металлах [16], полимерах [17] и т. д. В частности, было обнаружено усиление образования дефектов в β-Ga 2 O 3 [18]. Также известно, что эффекты, связанные с плотностью каскадов, удобно изучать, проводя сравнение накопления повреждений при облучении атомарными и молекулярными ионами [9,[12][13][14]17,19].…”

“…Экспериментально показано, что плотность каскадов смещений существенным образом влияет на результирующие радиационные повреждения в Si [9][10][11], SiC [12], ZnO [13], GaN [14,15], металлах [16], полимерах [17] и т. д. В частности, было обнаружено усиление образования дефектов в β-Ga 2 O 3 [18]. Также известно, что эффекты, связанные с плотностью каскадов, удобно изучать, проводя сравнение накопления повреждений при облучении атомарными и молекулярными ионами [9,[12][13][14]17,19]. Ранее нами были получены одни из первых данных по накоплению структурных нарушений в α-Ga 2 O 3 при его бомбардировке ускоренными атомарными ионами [20].…”

Radiation Damage Accumulation in α-Ga-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-3-=/SUB=- under P and PF-=SUB=-4-=/SUB=- Ion Bombardment

“…Ions decelerating in the target collide with lattice atoms, this knocking them out of regular positions, and produce so-called collision cascades of vacancies and interstitial atoms. It was demonstrated experimentally that the density of collision cascades exerts a considerable influence on the resulting radiation damage in Si [9][10][11], SiC [12], ZnO [13], GaN [14,15], metals [16], polymers [17], etc. Specifically, the defect formation was found to be enhanced in β-Ga 2 O 3 [18].…”