Molecular Beam Epitaxy and Heterostructures 1985
DOI: 10.1007/978-94-009-5073-3_9
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Molecular Beam Epitaxial Growth and Characterization of III-V/III-V and IV/III-V Heterostructures

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“…A diferença entre elas consiste basicamente no tipo de precursores e ambiente de crescimento. No MBE, o crescimento é realizado em ultra-alto vácuo (UHV); os precursores são fontes sólidas e seu Ćuxo é controlado através da temperatura da célula de efusão [92,93]. No MOCVD, os precursores são fontes gasosas ou vapores de organometálicos, e o crescimento é realizado em ambiente com maiores pressões, entre ∼ 1 e 760 torr.…”
Section: Epitaxia Por Feixe Químico (Cbe)unclassified
“…A diferença entre elas consiste basicamente no tipo de precursores e ambiente de crescimento. No MBE, o crescimento é realizado em ultra-alto vácuo (UHV); os precursores são fontes sólidas e seu Ćuxo é controlado através da temperatura da célula de efusão [92,93]. No MOCVD, os precursores são fontes gasosas ou vapores de organometálicos, e o crescimento é realizado em ambiente com maiores pressões, entre ∼ 1 e 760 torr.…”
Section: Epitaxia Por Feixe Químico (Cbe)unclassified