Molecular Beam Epitaxial Growth and Characterization of III-V/III-V and IV/III-V Heterostructures

Chang, Chih Han

doi:10.1007/978-94-009-5073-3_9

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“…A diferença entre elas consiste basicamente no tipo de precursores e ambiente de crescimento. No MBE, o crescimento é realizado em ultra-alto vácuo (UHV); os precursores são fontes sólidas e seu Ćuxo é controlado através da temperatura da célula de efusão [92,93]. No MOCVD, os precursores são fontes gasosas ou vapores de organometálicos, e o crescimento é realizado em ambiente com maiores pressões, entre ∼ 1 e 760 torr.…”

Section: Epitaxia Por Feixe Químico (Cbe)unclassified

Efeitos da dinâmica da nanopartícula catalisadora e controle da direção de crescimento de nanofios semicondutores

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Efeitos da dinâmica da nanopartícula catalisadora e controle da direção de crescimento de nanofios semicondutores CAMPINAS 2017 AgradecimentosGostaria de agradecer a todos que me ajudaram ao longo este trabalho. Primeiramente, a professora Mônica A. Cotta. Pela orientação desde a iniciação cientíĄca, por toda a paciência e oportunidades que surgiram desde então.A todos os técnicos que me ajudaram muito. Ao Hélio, por toda ajuda em diversos assuntos, principalmente nos crescimentos. Ao Totó, que me ajudou em toda a parte de processos e teve muita paciência e boa vontade de acompanhar todas as etapas comigo. Ao João Hermes, pelas ajudas no laboratório. Ao Emílio, por me treinar e me ajudar durante todo o mestrado com os problemas do e-line, que foi crucial para este trabalho. Ao Fred, que me treinou rapidamente e sempre me ajudou quando precisei com o RIE. Ao Marcão, pelas ajudas e discussões ao longo do mestrado.Ao Mateus Masteghin, por ter se disponibilizado a me ajudar com as gravações das linhas do FIB (que foram fundamentais para concluir o trabalho) e toda a paciência comigo em Araraquara! Ao pessoal da sala 34, Douglinhas, Duber, Monis, Adinei, Aldeliane, Bruno e Chico. Por me aguentarem diariamente e pela amizade.Ao pessoal do LnNano/CNPEM, pelo uso de sua infraestrutura e apoio de todo o pessoal. Principalmente na reta Ąnal, agradeço ao Fabiano por todas as sessões que me foram disponibilizadas.Ao pessoal da secretaria da pós graduação, especialmente ao Armando e Luciana, pelo auxílio na parte burocrática.A minha mãe por toda a paciência e apoio necessários para continuar na área acadêmica, que é tão pouco compreendida pela sociedade.Agradeço ao CNPq pelo apoio Ąnanceiro, bolsa de mestrado 132655/2015-2. E também à FAPESP e CAPES, pelo Ąnanciamento a este trabalho. ResumoNeste trabalho, estudamos o crescimento de nanoĄos planares de InP pelo mecanismo Vapor-Líquido-Sólido (VLS), com o objetivo de entender a dinâmica da nanopartícula metálica catalisadora durante o processo. Para isso utilizamos substratos de GaAs ( 111)A e o sistema de Epitaxia de Feixe Químico (CBE). O óxido nativo não foi totalmente removido termicamente antes do crescimento, com o objetivo de manter o nanoĄo isolado eletricamente do substrato. Como um dos objetivos do trabalho, estudamos a possibilidade de controle da direção de crescimento do nanoĄo planar através de diferentes tratamentos de superfície, e de modo independente da cristalograĄa do substrato utilizado. As amostras processadas e/ou crescidas foram caracterizadas por técnicas de microscopia eletrônica (varredura e transmissão) e microscopia de força atômica.Investigamos inicialmente como a camada de óxido inĆuencia as direções de crescimento dos nanoĄos planares no substrato não tratado. Posteriormente, processamos padrões de linhas com rugosidade ligeiramente diferente da mostrada pelo substrato, utilizando técnicas como LitograĄa por Feixe de Elétrons (EBL), Corrosão por Feixe de Íons Focalizados (FIB) e Ataque por Íons Reativos (RIE). Os padrões gravados eram compostos ...

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