2018
DOI: 10.1016/j.sse.2017.09.014
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Modeling of thermal coupling in VO 2 -based oscillatory neural networks

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
2
1
1
1

Citation Types

0
31
0
1

Year Published

2018
2018
2023
2023

Publication Types

Select...
6

Relationship

2
4

Authors

Journals

citations
Cited by 19 publications
(32 citation statements)
references
References 22 publications
0
31
0
1
Order By: Relevance
“…Therefore, the above presented experimental dependences of the oscillation spectra on ID are a consequence of the change in the frequencies of the first harmonics at constant RTC. As in [20], the value of RTC is determined as the distance at which ΔT p change is not less than 0.2 K.…”
Section: Resultsmentioning
confidence: 99%
See 3 more Smart Citations
“…Therefore, the above presented experimental dependences of the oscillation spectra on ID are a consequence of the change in the frequencies of the first harmonics at constant RTC. As in [20], the value of RTC is determined as the distance at which ΔT p change is not less than 0.2 K.…”
Section: Resultsmentioning
confidence: 99%
“…During the deposition, the power of the DC discharge was ~ 200 W, the target-substrate distance was ~ 12 cm, and the sputtering time was 20 min. The thickness of the resulting vanadium oxide thin films was ~ 250 nm [20]. Next, electrically isolated planar microstructures were formed at distances d = 12, 15, 18, and 21 μm from each other, with the shape of the contacts shown in Fig.…”
Section: Methodsmentioning
confidence: 99%
See 2 more Smart Citations
“…Формы всех трех временных зависимостей T 1 (t), T 2 (t) и T 3 (t) существенно отличаются, что и понятно, т. к. они соответствуют разным расстояниям до центра канала, при этом на T 2 (t) и T 3 (t) нет локальных максимумов, соответствующих образованию и схлопыванию канала, а T 3 (t) не выходит на насыщение за время действия импульса, так как для нагрева широкой области подложки нужны импульсы гораздо большей длительности. Максимальное значение T 3 не превышает 308 K, то есть перегрев относительно подложки не выше 8 K, что может влиять на соседние микроструктуры и являться причиной возникновения эффекта термосвязи между переключателями и осцилля-торами на их основе, который описан нами в работе [26].…”
Section: результаты и обсуждениеunclassified