Modeling of the Growth Mechanisms of GaAsBi and GaAs Nanowires

Выращивание слоев GaAs-=SUB=-1-x-=/SUB=-Bi-=SUB=-x-=/SUB=- методом молекулярно-лучевой эпитаксии

“…В настоящее время технология получения эпитаксиальных слоев LT-GaAs 1−x Bi x методом МЛЭ еще только разрабатывается, о чем свидетельствует большое число публикаций, в которых рассматриваются как модели эпитаксиального роста, так и конкретные режимы и условия эпитаксиального процесса [13][14][15][16][17][18][19].…”

The optical gain of GaAs1−x−y N x Bi y nanowires under the [100] direction uniaxial stress

“…8,9) Moreover, the large spin-orbit splitting energy is also beneficial to suppress the Auger recombination and IVBA effect of GaAsBi-based devices. 10,11) GaAsBi nanowires become particularly important and have been widely fabricated experimentally, [12][13][14] since both the above advantages of GaAsBi alloy and the quasi one-dimensional characteristics of nanowires are utilized. However, the recent theoretical study using 14-band k•p model demonstrates that the joint uniaxial stresses should be exerted along [100] and [001] directions (x and z directions) simultaneously to redshift the gain peak position of GaAsBi nanowires to the optical communication band.…”